Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
ATP206
ATP206-TL-H
 
 
<40 Вт
<40 Вт
 
 
 
 
 
 
1.63 нФVds = 20V
1.63 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 А
<40 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<16 мОмId, Vgs = 20A, 10V
<16 мОмId, Vgs = 20A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
ATP207
ATP207-TL-H
 
 
<50 Вт
<50 Вт
 
 
 
 
 
 
2.71 нФVds = 20V
2.71 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<65 А
<65 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<9.1 мОмId, Vgs = 33A, 10V
<9.1 мОмId, Vgs = 33A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
ATP208
ATP208-TL-H
 
 
<60 Вт
<60 Вт
 
 
 
 
 
 
4.51 нФVds = 20V
4.51 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<90 А
<90 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<6 мОмId, Vgs = 45A, 10V
<6 мОмId, Vgs = 45A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
ATP212
ATP212-TL-H
 
 
<40 Вт
<40 Вт
 
 
 
 
 
 
1.82 нФVds = 20V
1.82 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<35 А
<35 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<23 мОмId, Vgs = 18A, 10V
<23 мОмId, Vgs = 18A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
ATP213
ATP213-TL-H
 
 
<50 Вт
<50 Вт
 
 
 
 
 
 
3.15 нФVds = 20V
3.15 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<50 А
<50 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<16 мОмId, Vgs = 25A, 10V
<16 мОмId, Vgs = 25A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
ATP301
ATP301-TL-H
 
 
<70 Вт
<70 Вт
 
 
 
 
 
 
4 нФVds = 20V
4 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<28 А
<28 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<75 мОмId, Vgs = 14A, 10V
<75 мОмId, Vgs = 14A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
ATP404
ATP404-TL-H
 
 
<70 Вт
<70 Вт
 
 
 
 
 
 
6.4 нФVds = 20V
6.4 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<95 А
<95 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<7.2 мОмId, Vgs = 48A, 10V
<7.2 мОмId, Vgs = 48A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
ATP405
ATP405-TL-H
 
 
<70 Вт
<70 Вт
 
 
 
 
 
 
4 нФVds = 20V
4 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<40 А
<40 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<33 мОмId, Vgs = 20A, 10V
<33 мОмId, Vgs = 20A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
ATP602
ATP602-TL-H
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<600 В
<600 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
BS107
BS107AG
BS107ARL1
▾
 
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
60 пФVds = 25V
60 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<200 В
 
<250 мА
<250 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<6.4 ОмId, Vgs = 250mA, 10V
<6.4 ОмId, Vgs = 250mA, 10V
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
 
ON Semiconductor
ON Semiconductor