BS107

BS107, BS107AG, BS107ARL1, BS107ARL1G, BS107G, BS107P, BS107PSTOA, BS107PSTOB, BS107PSTZ

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBS107AGBS107ARL1BS107ARL1GBS107GBS107PBS107PSTOABS107PSTOBBS107PSTZ
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
ON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorDiodes/ZetexDiodes/ZetexDiodes/ZetexDiodes/Zetex
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<350 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
60 пФVds = 25V60 пФVds = 25V60 пФVds = 25V60 пФVds = 25V(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<200 В
Постійний струм стоку
IDSS
<250 мА<250 мА<250 мА<250 мА<120 мА<120 мА<120 мА<120 мА
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<6.4 ОмId, Vgs = 250mA, 10V<6.4 ОмId, Vgs = 250mA, 10V<6.4 ОмId, Vgs = 250mA, 10V<14 ОмId, Vgs = 200mA, 10V<30 ОмId, Vgs = 100mA, 5V<30 ОмId, Vgs = 100mA, 5V<30 ОмId, Vgs = 100mA, 5V<30 ОмId, Vgs = 100mA, 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateStandardStandardStandardStandard