Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
<680 мВт
<680 мВт
 
 
 
 
 
 
565 пФVds = 15V
565 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<4.5 А
<4.5 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<24 мОмId, Vgs = 6.9A, 10V
<24 мОмId, Vgs = 6.9A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
400 пФVds = 20V
400 пФVds = 20V
400 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<4 А
<4 А
<4 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<60 мОмId, Vgs = 4A, 10V
<60 мОмId, Vgs = 4A, 10V
<60 мОмId, Vgs = 4A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
 
<730 мВт
<730 мВт
<730 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.1 нФVds = 16V
1.1 нФVds = 16V
1.1 нФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<3.92 А
<3.92 А
<3.92 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<35 мОмId, Vgs = 6A, 4.5V
<35 мОмId, Vgs = 6A, 4.5V
<35 мОмId, Vgs = 6A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
950 пФVds = 24V
950 пФVds = 24V
950 пФVds = 24V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<6 А
<6 А
<6 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<32 мОмId, Vgs = 6A, 10V
<32 мОмId, Vgs = 6A, 10V
<32 мОмId, Vgs = 6A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
<1.29 Вт
<1.29 Вт
 
 
 
 
 
 
900 пФVds = 32V
900 пФVds = 32V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<4.6 А
<4.6 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<34 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V
<34 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
 
<750 мВт
<750 мВт
<750 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.7 нФVds = 16V
1.7 нФVds = 16V
1.7 нФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<4.8 А
<4.8 А
<4.8 А
 
 
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<33 мОмId, Vgs = 6.2A, 4.5V
<33 мОмId, Vgs = 6.2A, 4.5V
<33 мОмId, Vgs = 6.2A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
<1.52 Вт
<1.52 Вт
 
 
 
 
 
 
1.485 нФVds = 16V
1.485 нФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<7.5 А
<7.5 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<19 мОмId, Vgs = 7.5A, 4.5V
<19 мОмId, Vgs = 7.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-TSSOP
8-TSSOP
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
<940 мВт
<940 мВт
 
 
 
 
 
 
1.4 нФVds = 16V
1.4 нФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<4.7 А
<4.7 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<32 мОмId, Vgs = 6.9A, 4.5V
<32 мОмId, Vgs = 6.9A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-TSSOP
8-TSSOP
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
 
<1.39 Вт
<1.39 Вт
<1.39 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
630 пФVds = 16V
630 пФVds = 16V
630 пФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<6.2 А
<6.2 А
<6.2 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<22 мОмId, Vgs = 7A, 4.5V
<22 мОмId, Vgs = 7A, 4.5V
<22 мОмId, Vgs = 7A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-TSSOP
8-TSSOP
8-TSSOP
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
<940 мВт
 
 
 
900 пФVds = 16V
 
 
 
 
 
<20 В
<5.4 А
 
 
2 N-Channel (Dual)
<22 мОмId, Vgs = 6.6A, 4.5V
 
Поверхневий
8-TSSOP
ON Semiconductor