NTQD6968R2

NTQD6968R2

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNTQD6968R2
Корпус мікросхеми
Корпус
8-TSSOP
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<940 мВт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
900 пФVds = 16V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<20 В
Постійний струм стоку
IDSS
<5.4 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
2 N-Channel (Dual)
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<22 мОмId, Vgs = 6.6A, 4.5V
Заряд затвору
QG
20 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
2