Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
6.8 нФVds = 100V
6.8 нФVds = 100V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<600 В
<600 В
<47 А
<47 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<45 мОмId, Vgs = 44A, 10V
<45 мОмId, Vgs = 44A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
ISOPLUS264™
ISOPLUS264™
IXYS
IXYS
 
 
<800 мВт
<800 мВт
 
 
 
 
 
 
105 пФVds = 10V
105 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<1.6 А
<1.6 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<230 мОмId, Vgs = 800mA, 4V
<230 мОмId, Vgs = 800mA, 4V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
330 пФVds = 25V
330 пФVds = 25V
330 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<2 А
<2 А
<2 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<300 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
<300 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
<300 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
630 пФVds = 24V
630 пФVds = 24V
630 пФVds = 24V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<4.1 А
<4.1 А
<4.1 А
 
 
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
N and P-Channel
<70 мОмId, Vgs = 3A, 10V
<70 мОмId, Vgs = 3A, 10V
<70 мОмId, Vgs = 3A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
532 пФVds = 16V
532 пФVds = 16V
532 пФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
<3.6 А
<3.6 А
<3.6 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<100 мОмId, Vgs = 2.2A, 10V
<100 мОмId, Vgs = 2.2A, 10V
<100 мОмId, Vgs = 2.2A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
475 пФVds = 16V
475 пФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
 
<2.5 А
<2.5 А
 
 
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
 
<250 мОмId, Vgs = 2A, 10V
<250 мОмId, Vgs = 2A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
630 пФVds = 24V
630 пФVds = 24V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<4.1 А
<4.1 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<70 мОмId, Vgs = 3A, 10V
<70 мОмId, Vgs = 3A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
 
<1.39 Вт
<1.39 Вт
<1.39 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
900 пФVds = 32V
900 пФVds = 32V
900 пФVds = 32V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
<3.4 А
<3.4 А
<3.4 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<80 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V
<80 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V
<80 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
280 пФVds = 10V
280 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<3 А
<3 А
 
 
 
 
 
 
<350 мОмId, Vgs = 2A, 10V
<350 мОмId, Vgs = 2A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
10-SIP
10-SIP
Toshiba
Toshiba
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
370 пФVds = 10V
370 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
 
 
<160 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V
<160 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
10-SIP
10-SIP
Toshiba
Toshiba