На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MMDF2P02ER2 | MMDF2P02ER2G | MMDF2P02HDR2 | MMDF2P02HDR2G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | |||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <2 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 475 пФVds = 16V | 475 пФVds = 16V | 588 пФVds = 16V | 588 пФVds = 16V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В | <25 В | <20 В | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <2.5 А | <2.5 А | <3.3 А | <3.3 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <250 мОмId, Vgs = 2A, 10V | <250 мОмId, Vgs = 2A, 10V | <160 мОмId, Vgs = 2A, 10V | <160 мОмId, Vgs = 2A, 10V |
Заряд затвору | QG | 15 нCVgs = 10V | 15 нCVgs = 10V | 20 нCVgs = 10V | 20 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |||