Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
1.35 нФVds = 6V
1.35 нФVds = 6V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<2.5 А
<2.5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<61 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
<61 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TUMT6
TUMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<3.5 А
<3.5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TUMT6
TUMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
<1.25 Вт
<1.25 Вт
 
 
 
 
 
 
2.45 нФVds = 6V
2.45 нФVds = 6V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<4.5 А
<4.5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<35 мОмId, Vgs = 4.5A, 4.5V
<35 мОмId, Vgs = 4.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT6
TSMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
<1.25 Вт
<1.25 Вт
 
 
 
 
 
 
2.85 нФVds = 6V
2.85 нФVds = 6V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<26 мОмId, Vgs = 5A, 4.5V
<26 мОмId, Vgs = 5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT6
TSMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
1.35 нФVds = 6V
1.35 нФVds = 6V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<2.5 А
<2.5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<61 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
<61 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT3
TSMT3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<4 А
<4 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT3
TSMT3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
<800 мВт
<800 мВт
 
 
 
 
 
 
450 пФVds = 6V
450 пФVds = 6V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<2.4 А
<2.4 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<120 мОмId, Vgs = 1.3A, 4.5V
<120 мОмId, Vgs = 1.3A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<800 мВт
<800 мВт
 
 
 
 
 
 
410 пФVds = 10V
410 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<165 мОмId, Vgs = 1A, 4V
<165 мОмId, Vgs = 1A, 4V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<600 мВт
<600 мВт
 
 
 
 
 
 
88 пФVds = 10V
88 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<1.6 А
<1.6 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<180 мОмId, Vgs = 800mA, 10V
<180 мОмId, Vgs = 800mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<600 мВт
<600 мВт
 
 
 
 
 
 
115 пФVds = 10V
115 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<1 А
<1 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<500 мОмId, Vgs = 500mA, 4V
<500 мОмId, Vgs = 500mA, 4V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co