На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SCH2830-TL-E | |
|---|---|---|
Виробник | Виробник | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <600 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 115 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <1 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <500 мОмId, Vgs = 500mA, 4V |
Заряд затвору | QG | 1.5 нCVgs = 4V |
FET Feature | FET Feature | Diode (Isolated) |