Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
<40 Вт
<40 Вт
 
 
 
 
 
 
720 пФVds = 10V
720 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<400 В
<400 В
<5.5 А
<5.5 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<1.2 ОмId, Vgs = 3A, 10V
<1.2 ОмId, Vgs = 3A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
2-10S1B
2-10S1B
Toshiba
Toshiba
 
 
<80 Вт
<80 Вт
 
 
 
 
 
 
1.34 нФVds = 10V
1.34 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<400 В
<400 В
<10 А
<10 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<550 мОмId, Vgs = 5A, 10V
<550 мОмId, Vgs = 5A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-220AB
TO-220AB
Toshiba
Toshiba
 
 
<40 Вт
<40 Вт
 
 
 
 
 
 
350 пФVds = 25V
350 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<900 В
<900 В
<1 А
<1 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<9 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
<9 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
Toshiba
Toshiba
 
 
<85 Вт
<85 Вт
 
 
 
 
 
 
2.04 нФVds = 25V
2.04 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<900 В
<900 В
<8 А
<8 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<1.4 ОмId, Vgs = 4A, 10V
<1.4 ОмId, Vgs = 4A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
2-16F1B
2-16F1B
Toshiba
Toshiba
 
 
<20 Вт
<20 Вт
 
 
 
 
 
 
380 пФVds = 10V
380 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<600 В
<600 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<5 ОмId, Vgs = 1A, 10V
<5 ОмId, Vgs = 1A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
2-7J1B
2-7J1B
Toshiba
Toshiba
 
 
<125 Вт
<125 Вт
 
 
 
 
 
 
2.04 нФVds = 10V
2.04 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<600 В
<600 В
<10 А
<10 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<750 мОмId, Vgs = 5A, 10V
<750 мОмId, Vgs = 5A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-220AB
TO-220AB
Toshiba
Toshiba
 
 
<75 Вт
<75 Вт
 
 
 
 
 
 
750 пФVds = 25V
750 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<800 В
<800 В
<3 А
<3 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<3.6 ОмId, Vgs = 1.5A, 10V
<3.6 ОмId, Vgs = 1.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
2-10S2B
2-10S2B
Toshiba
Toshiba
 
 
 
<100 Вт
<100 Вт
<100 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.08 нФVds = 25V
1.08 нФVds = 25V
1.08 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<800 В
<800 В
<800 В
<5 А
<5 А
<5 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<2.2 ОмId, Vgs = 3A, 10V
<2.2 ОмId, Vgs = 3A, 10V
<2.2 ОмId, Vgs = 3A, 10V
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
 
2-10S1B
2-10S1B
Toshiba
Toshiba
Toshiba
 
 
<20 Вт
<20 Вт
 
 
 
 
 
 
230 пФVds = 10V
230 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<3 А
<3 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<900 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
<900 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
<100 Вт
<100 Вт
 
 
 
 
 
 
2.04 нФVds = 10V
2.04 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<600 В
<600 В
<10 А
<10 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<750 мОмId, Vgs = 5A, 10V
<750 мОмId, Vgs = 5A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
2-10S1B
2-10S1B
Toshiba
Toshiba