2SK2866(F)

2SK2866, 2SK2866(F)

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр2SK2866(F)
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220AB
Виробник
Виробник
Toshiba
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<125 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.04 нФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<600 В
Постійний струм стоку
IDSS
<10 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<750 мОмId, Vgs = 5A, 10V
Заряд затвору
QG
45 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard