Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
550 пФVds = 20V
550 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<800 В
<800 В
<2.5 А
<2.5 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4.8 ОмId, Vgs = 1.3A, 15V
<4.8 ОмId, Vgs = 1.3A, 15V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
 
<150 Вт
<150 Вт
<150 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2.6 нФVds = 10V
2.6 нФVds = 10V
2.6 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 В
<500 В
<500 В
<15 А
<15 А
<15 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<400 мОмId, Vgs = 7A, 10V
<400 мОмId, Vgs = 7A, 10V
<400 мОмId, Vgs = 7A, 10V
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
2-16C1B (TO-247 N)
2-16C1B (TO-247 N)
2-16C1B (TO-247 N)
Toshiba
Toshiba
Toshiba
 
 
<150 Вт
<150 Вт
 
 
 
 
 
 
2.6 нФVds = 10V
2.6 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<600 В
<600 В
<12 А
<12 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<650 мОмId, Vgs = 6A, 10V
<650 мОмId, Vgs = 6A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
2-16C1B (TO-247 N)
2-16C1B (TO-247 N)
Toshiba
Toshiba
 
 
<40 Вт
<40 Вт
 
 
 
 
 
 
750 пФVds = 25V
750 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<900 В
<900 В
<3 А
<3 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4.3 ОмId, Vgs = 1.5A, 10V
<4.3 ОмId, Vgs = 1.5A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
2-10R1B
2-10R1B
Toshiba
Toshiba
 
<30 Вт
 
 
 
600 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
<450 В
<5 А
 
 
N-ch
<1.4 ОмId, Vgs = 2.5A, 10V
 
Крізь отвір
TO-220FN-3 (Straight Leads)
Rohm Semiconductor
 
 
<20 Вт
<20 Вт
 
 
 
 
 
 
280 пФVds = 10V
280 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 В
<500 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4 ОмId, Vgs = 1A, 10V
<4 ОмId, Vgs = 1A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
<125 Вт
<125 Вт
 
 
 
 
 
 
750 пФVds = 25V
750 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<900 В
<900 В
<3 А
<3 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4.3 ОмId, Vgs = 1.5A, 10V
<4.3 ОмId, Vgs = 1.5A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
2-16C1B (TO-247 N)
2-16C1B (TO-247 N)
Toshiba
Toshiba
 
 
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
 
 
 
25 пФVds = 10V
25 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<2.8 ОмId, Vgs = 100mA, 10V
<2.8 ОмId, Vgs = 100mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
<30 Вт
 
 
 
1.05 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
<600 В
<7 А
 
 
N-ch
<1.2 ОмId, Vgs = 4A, 10V
 
Крізь отвір
TO-220FN-3 (Straight Leads)
Rohm Semiconductor
 
 
<125 Вт
<125 Вт
 
 
 
 
 
 
2.3 нФVds = 10V
2.3 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<45 А
<45 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<20 мОмId, Vgs = 25A, 10V
<20 мОмId, Vgs = 25A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
2-16C1B (TO-247 N)
2-16C1B (TO-247 N)
Toshiba
Toshiba