2SK2719(F)

2SK2719, 2SK2719(F)

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр2SK2719(F)
Корпус мікросхеми
Корпус
2-16C1B (TO-247 N)
Виробник
Виробник
Toshiba
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<125 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
750 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<900 В
Постійний струм стоку
IDSS
<3 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<4.3 ОмId, Vgs = 1.5A, 10V
Заряд затвору
QG
25 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard