Високочастотні - Elcomps.com
Всього знайдено 1026 компонентів
ЗображенняІм'яЕлементівhFE2IC2fh212P2P1dBKdBUCEO2P1dBICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
Від
До
1
 
 
 
 
 
13.5 дБ ~ 10 дБ
 
21 dBm ~ 20.5 dBm
<80 мА
 
 
<12 В
<600 мВт
 
>3035mA, 8V
 
 
 
6 ГГц
 
1.9 дБ ~ 3 дБ2GHz ~ 4GHz
NPN
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхностный монтаж
Avago Technologies US Inc.
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
13.5 дБ ~ 10 дБ
13.5 дБ ~ 10 дБ
 
 
21 dBm ~ 20.5 dBm
21 dBm ~ 20.5 dBm
<80 мА
<80 мА
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<600 мВт
<600 мВт
 
 
>3035mA, 8V
>3035mA, 8V
 
 
 
 
 
 
8 ГГц
8 ГГц
 
 
2 дБ ~ 3 дБ2GHz ~ 4GHz
2 дБ ~ 3 дБ2GHz ~ 4GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
4-SMD (35 micro-X)
4-SMD (35 micro-X)
Avago Technologies US Inc.
Avago Technologies US Inc.
1
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
13.5 дБ ~ 10 дБ
13.5 дБ ~ 10 дБ
13.5 дБ ~ 10 дБ
 
 
 
21 dBm ~ 20.5 dBm
21 dBm ~ 20.5 dBm
21 dBm ~ 20.5 dBm
<80 мА
<80 мА
<80 мА
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<12 В
<600 мВт
<600 мВт
<600 мВт
 
 
 
>3035mA, 8V
>3035mA, 8V
>3035mA, 8V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
8 ГГц
8 ГГц
8 ГГц
 
 
 
2 дБ ~ 3 дБ2GHz ~ 4GHz
2 дБ ~ 3 дБ2GHz ~ 4GHz
2 дБ ~ 3 дБ2GHz ~ 4GHz
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
4-SMD (36 micro-X)
4-SMD (36 micro-X)
4-SMD (36 micro-X)
Avago Technologies US Inc.
Avago Technologies US Inc.
Avago Technologies US Inc.
1
 
 
 
 
 
14 дБ ~ 10.5 дБ
 
21 dBm ~ 20.5 dBm
<80 мА
 
 
<12 В
<600 мВт
 
>3035mA, 8V
 
 
 
6 ГГц
 
1.9 дБ ~ 3 дБ2GHz ~ 4GHz
NPN
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
4-SMD (70 mil)
Avago Technologies US Inc.
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
13.5 дБ ~ 9.5 дБ
13.5 дБ ~ 9.5 дБ
 
 
20.5 dBm ~ 20 dBm
20.5 dBm ~ 20 dBm
<80 мА
<80 мА
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<500 мВт
<500 мВт
 
 
>3035mA, 8V
>3035mA, 8V
 
 
 
 
 
 
8 ГГц
8 ГГц
 
 
2 дБ ~ 3.5 дБ2GHz ~ 4GHz
2 дБ ~ 3.5 дБ2GHz ~ 4GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
4-SMD (85 Plastic)
4-SMD (85 Plastic)
Avago Technologies US Inc.
Avago Technologies US Inc.
1
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
13 дБ ~ 9 дБ
13 дБ ~ 9 дБ
13 дБ ~ 9 дБ
 
 
 
 
20.5 dBm ~ 20 dBm
 
<80 мА
<80 мА
<80 мА
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<12 В
<500 мВт
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
>3035mA, 8V
>3035mA, 8V
>3035mA, 8V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
8 ГГц
8 ГГц
8 ГГц
 
 
 
1.9 дБ ~ 3.5 дБ2GHz ~ 4GHz
1.9 дБ ~ 3.5 дБ2GHz ~ 4GHz
1.9 дБ ~ 3.5 дБ2GHz ~ 4GHz
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
86-SMD
4-SMD (86 Plastic)
Avago Technologies US Inc.
Avago Technologies US Inc.
Avago Technologies US Inc.
1
 
 
 
 
 
 
26.4 dBm ~ 27.5 dBm
<200 мА
 
 
<20 В
<3 Вт
 
>20110mA, 8V
 
 
 
 
 
NPN
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
4-SMD (200 mil BeO)
Avago Technologies US Inc.
1
 
 
 
 
 
 
27.5 dBm ~ 26.5 dBm
<200 мА
 
 
<20 В
<3 Вт
 
>20110mA, 8V
 
 
 
4 ГГц
 
NPN
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхностный монтаж
Avago Technologies US Inc.
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
<125 В
<125 В
<330 мВт
<330 мВт
 
 
>63100mA, 1V
>63100mA, 1V
 
 
 
 
 
 
100 МГц
100 МГц
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
Infineon Technologies
Infineon Technologies
1
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 мА
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
>387mA, 10V
>387mA, 10V
>387mA, 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.1 ГГц
1.1 ГГц
1.1 ГГц
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor