На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | AT-42010 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Поверхностный монтаж |
Виробник | Виробник | Avago Technologies US Inc. |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <80 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <12 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <600 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >3035mA, 8V |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 6 ГГц |
Коефіцієнт шума | NF | 1.9 дБ ~ 3 дБ2GHz ~ 4GHz |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 13.5 дБ ~ 10 дБ |
Compression Point (P1dB) | P1dB | 21 dBm ~ 20.5 dBm |