Збірки pre-biased - Elcomps.com
Всього знайдено 1375 компонентів
ЗображенняІм'яЕлементівRBRE-BUCE-sat2hFE2IC2Ifrc2fh212ICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
Від
До
2
2
47 кОм
47 кОм
47 кОм
47 кОм
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>68Ic, Vce = 5mA, 5V
>68Ic, Vce = 5mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
PNP Pre-Biased
PNP Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
EMT6
EMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
2
2
4.7 кОм
4.7 кОм
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 1mA, 5V
>100Ic, Vce = 1mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 5mA
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 5mA
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
PNP Pre-Biased
PNP Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
EMT6
EMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
2
2
10 кОм
10 кОм
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 1mA, 5V
>100Ic, Vce = 1mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
PNP Pre-Biased
PNP Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
EMT6
EMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
2
2
47 кОм
47 кОм
47 кОм
47 кОм
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 мА
<30 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>68Ic, Vce = 5mA, 5V
>68Ic, Vce = 5mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
PNP Pre-Biased
PNP Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
EMT6
EMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
2
2
10 кОм
10 кОм
2.1 кОм
2.1 кОм
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>68Ic, Vce = 5mA, 5V
>68Ic, Vce = 5mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
PNP Pre-Biased
PNP Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
EMT6
EMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
2
2
2
22 кОм
22 кОм
22 кОм
22 кОм
22 кОм
22 кОм
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<500 мВт
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
>60Ic, Vce = 5mA, 10V
>60Ic, Vce = 5mA, 10V
>60Ic, Vce = 5mA, 10V
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
SOT-553, SOT-5
SOT-553, SOT-5
SOT-553, SOT-5
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
2
2
10 кОм
10 кОм
2.1 кОм
2.1 кОм
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<500 мВт
<500 мВт
 
 
>80Ic, Vce = 5mA, 10V
>80Ic, Vce = 5mA, 10V
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
500 нА
500 нА
 
 
SOT-553, SOT-5
SOT-553, SOT-5
ON Semiconductor
ON Semiconductor
2
2
2
4.7 кОм
4.7 кОм
4.7 кОм
10 кОм
10 кОм
10 кОм
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<500 мВт
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
>35Ic, Vce = 5mA, 10V
>35Ic, Vce = 5mA, 10V
>35Ic, Vce = 5mA, 10V
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
SOT-553, SOT-5
SOT-553, SOT-5
SOT-553, SOT-5
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
2
2
47 кОм
47 кОм
47 кОм
47 кОм
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>68Ic, Vce = 5mA, 5V
>68Ic, Vce = 5mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
EMT6
EMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
2
2
4.7 кОм
4.7 кОм
47 кОм
47 кОм
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>80Ic, Vce = 10mA, 5V
>80Ic, Vce = 10mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
EMT6
EMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor