На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | EMC2DXV5T1 | EMC2DXV5T1G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-553, SOT-5 | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <500 мВт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >60Ic, Vce = 5mA, 10V | |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | |
Структура біполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |
Опір, підключений до бази | RB | 22 кОм | |
Опір між емітером та базою | RE-B | 22 кОм | |