Збірки біполярних транзисторів - Elcomps.com
Всього знайдено 862 компонентів
ЗображенняІм'яЕлементівICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
2
2
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<370 мВт
<370 мВт
 
 
>300.25Ic, Vce = 500mA, 5V
>300.25Ic, Vce = 500mA, 5V
 
 
 
 
 
 
<150 МГц
<150 МГц
 
 
 
 
NPN+PNP
NPN+PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
Поверхневий
Поверхневий
SC-74-6
SC-74-6
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
2
2
<2.7 А
<2.7 А
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<750 мВт
<750 мВт
 
 
>300Ic, Vce = 500mA, 2V
>300Ic, Vce = 500mA, 2V
<80 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<80 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN+PNP
NPN+PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
2
2
<2.7 А
<2.7 А
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<750 мВт
<750 мВт
 
 
>300Ic, Vce = 500mA, 2V
>300Ic, Vce = 500mA, 2V
<80 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<80 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
2
2
<1 А
<1 А
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<450 мВт
<450 мВт
 
 
>150Ic, Vce = 500mA, 5V
>150Ic, Vce = 500mA, 5V
<165 мВIb, Ic = 1mA, 100mA
<165 мВIb, Ic = 1mA, 100mA
 
 
 
 
<185 МГц
<185 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
Поверхневий
Поверхневий
SC-74-6
SC-74-6
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
2
2
<2.7 А
<2.7 А
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<750 мВт
<750 мВт
 
 
>200Ic, Vce = 500mA, 2V
>200Ic, Vce = 500mA, 2V
<180 мВIb, Ic = 50mA, 1A
<180 мВIb, Ic = 50mA, 1A
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
2
2
2
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
<300 мВт
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SS Mini-6 (SOT-666)
SS Mini-6 (SOT-666)
SS Mini-6 (SOT-666)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
2
2
2
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
<300 мВт
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SS Mini-6 (SOT-666)
SS Mini-6 (SOT-666)
SS Mini-6 (SOT-666)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
2
2
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<300 мВт
<300 мВт
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
NPN+PNP
NPN+PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SS Mini-6 (SOT-666)
SS Mini-6 (SOT-666)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
2
2
2
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<12 В
<300 мВт
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
>200Ic, Vce = 10mA, 2V
>200Ic, Vce = 10mA, 2V
>200Ic, Vce = 10mA, 2V
<220 мВIb, Ic = 10mA, 200mA
<220 мВIb, Ic = 10mA, 200mA
<220 мВIb, Ic = 10mA, 200mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN+PNP
NPN+PNP
NPN+PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SS Mini-6 (SOT-666)
SS Mini-6 (SOT-666)
SS Mini-6 (SOT-666)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
2
2
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<600 мВт
<600 мВт
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-74-6
SC-74-6
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors