На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PBSS4350SPN,115 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <2.7 А |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <750 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >300Ic, Vce = 500mA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <80 мВIb, Ic = 50mA, 500mA |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN+PNP |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <100 нА |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |