Збірки MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 2269 компонентів
ЗображенняІм'яЕлементівIDSS2P2СеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
NTZD3154N
NTZD3154NT1G
NTZD3154NT2G
▾
2
2
2
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2.5 нCVgs = 4.5V
2.5 нCVgs = 4.5V
2.5 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<250 мВт
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
150 пФVds = 16V
150 пФVds = 16V
150 пФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<540 мА
<540 мА
<540 мА
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<550 мОмId, Vgs = 540mA, 4.5V
<550 мОмId, Vgs = 540mA, 4.5V
<550 мОмId, Vgs = 540mA, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-563
SOT-563
SOT-563
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTZD3155
NTZD3155CT1G
NTZD3155CT2G
▾
2
2
2
<430 мА
<430 мА
<430 мА
 
 
 
 
 
 
2.5 нCVgs = 4.5V
2.5 нCVgs = 4.5V
2.5 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<250 мВт
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
150 пФVds = 16V
150 пФVds = 16V
150 пФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<540 мА
<540 мА
<540 мА
 
 
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
N and P-Channel
<550 мОмId, Vgs = 540mA, 4.5V
<550 мОмId, Vgs = 540mA, 4.5V
<550 мОмId, Vgs = 540mA, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-563
SOT-563
SOT-563
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTZD3156
NTZD3156CT1G
NTZD3156CT2G
▾
2
2
2
<430 мА
<430 мА
<430 мА
 
 
 
 
 
 
2.5 нCVgs = 4.5V
2.5 нCVgs = 4.5V
2.5 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<250 мВт
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
72 пФVds = 16V
72 пФVds = 16V
72 пФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<540 мА
<540 мА
<540 мА
 
 
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
N and P-Channel
<550 мОмId, Vgs = 540mA, 4.5V
<550 мОмId, Vgs = 540mA, 4.5V
<550 мОмId, Vgs = 540mA, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-563
SOT-563
SOT-563
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTZD5110N
NTZD5110NT1G
NTZD5110NT5G
2
2
2
 
 
 
 
 
 
 
 
 
700 пCVgs = 4.5V
700 пCVgs = 4.5V
700 пCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<250 мВт
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
24.5 пФVds = 20V
24.5 пФVds = 20V
24.5 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<294 мА
<294 мА
<294 мА
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<1.6 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
<1.6 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
<1.6 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-563
SOT-563
SOT-563
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
PHC21025
PHC21025,118
2
2
<2.3 А
<2.3 А
 
 
 
 
30 нCVgs = 10V
30 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
250 пФVds = 20V
250 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<3.5 А
<3.5 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<100 мОмId, Vgs = 2.2A, 10V
<100 мОмId, Vgs = 2.2A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
PHC2300
PHC2300,118
2
2
 
 
 
 
 
 
6.24 нCVgs = 10V
6.24 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
102 пФVds = 50V
102 пФVds = 50V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<300 В
<300 В
<340 мА
<340 мА
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<6 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
<6 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
PHKD13N03
PHKD13N03LT,518
2
2
 
 
 
 
TrenchMOS™
TrenchMOS™
10.7 нCVgs = 5V
10.7 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<3.57 Вт
<3.57 Вт
 
 
 
 
 
 
752 пФVds = 15V
752 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<10.4 А
<10.4 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<20 мОмId, Vgs = 8A, 10V
<20 мОмId, Vgs = 8A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
PHKD6N02
PHKD6N02LT,518
2
2
 
 
 
 
TrenchMOS™
TrenchMOS™
15.3 нCVgs = 5V
15.3 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<4.17 Вт
<4.17 Вт
 
 
 
 
 
 
950 пФVds = 10V
950 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<10.9 А
<10.9 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<20 мОмId, Vgs = 3A, 5V
<20 мОмId, Vgs = 3A, 5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
PHN203
PHN203,518
2
2
 
 
 
 
TrenchMOS™
TrenchMOS™
14.6 нCVgs = 10V
14.6 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
560 пФVds = 20V
560 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<6.3 А
<6.3 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<30 мОмId, Vgs = 7A, 10V
<30 мОмId, Vgs = 7A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
PHN210
PHN210,118
PHN210T,118
2
2
2
 
 
 
 
 
 
TrenchMOS™
TrenchMOS™
TrenchMOS™
6 нCVgs = 10V
6 нCVgs = 10V
6 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
250 пФVds = 20V
250 пФVds = 20V
250 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<3.4 А
<3.4 А
<3.4 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<100 мОмId, Vgs = 2.2A, 10V
<100 мОмId, Vgs = 2.2A, 10V
<100 мОмId, Vgs = 2.2A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors