На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTZD3154NT1G | NTZD3154NT2G | NTZD3154NT5G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-563 | ||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <250 мВт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 150 пФVds = 16V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <540 мА | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <550 мОмId, Vgs = 540mA, 4.5V | ||
Заряд затвору | QG | 2.5 нCVgs = 4.5V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||