JFET - Elcomps.com
Всього знайдено 366 компонентів
ЗображенняІм'яМонтажVBRGSSNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IКорпусВиробник
  
Від
До
Поверхневий
Поверхневий
>40 В
>40 В
 
 
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
 
 
<14 пФVds = 20V
<14 пФVds = 20V
 
 
 
 
500 мВId = 1nA
500 мВId = 1nA
 
 
 
 
<40 В
<40 В
>5 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
>5 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<100 Ом
<100 Ом
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
Поверхневий
Поверхневий
>25 В
>25 В
 
 
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
 
 
<30 пФVds = 10V (VGS)
<30 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
10 ВId = 1µA
10 ВId = 1µA
 
 
 
 
<25 В
<25 В
>80 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>80 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<8 Ом
<8 Ом
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
Поверхневий
Поверхневий
>25 В
>25 В
 
 
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
 
 
<30 пФVds = 10V (VGS)
<30 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
6 ВId = 1µA
6 ВId = 1µA
 
 
 
 
<25 В
<25 В
>40 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>40 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<12 Ом
<12 Ом
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
Поверхневий
Поверхневий
>25 В
>25 В
 
 
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
 
 
<30 пФVds = 10V (VGS)
<30 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
4 ВId = 1µA
4 ВId = 1µA
 
 
 
 
<25 В
<25 В
>10 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>10 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<18 Ом
<18 Ом
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
Поверхневий
Поверхневий
>40 В
>40 В
 
 
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
 
 
 
<6 пФVds = 10V (VGS)
<6 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
10 ВId = 1µA
10 ВId = 1µA
 
 
 
 
<40 В
<40 В
>20 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>20 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<30 Ом
<30 Ом
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
Поверхневий
Поверхневий
>40 В
>40 В
 
 
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
 
 
 
<6 пФVds = 10V (VGS)
<6 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
5 ВId = 1µA
5 ВId = 1µA
 
 
 
 
<40 В
<40 В
>5 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>5 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<50 Ом
<50 Ом
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
Поверхневий
Поверхневий
>40 В
>40 В
 
 
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
 
 
 
<6 пФVds = 10V (VGS)
<6 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
3 ВId = 1µA
3 ВId = 1µA
 
 
 
 
<40 В
<40 В
>2 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>2 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<100 Ом
<100 Ом
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
Поверхневий
Поверхневий
>30 В
>30 В
 
 
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
 
 
 
<8 пФVds = 10V (VGS)
<8 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
5 ВId = 10nA
5 ВId = 10nA
 
 
 
 
<30 В
<30 В
>20 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>20 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<85 Ом
<85 Ом
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
Поверхневий
Поверхневий
>30 В
>30 В
 
 
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
 
 
 
<8 пФVds = 10V (VGS)
<8 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
3 ВId = 10nA
3 ВId = 10nA
 
 
 
 
<30 В
<30 В
>7 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>7 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<125 Ом
<125 Ом
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
Поверхневий
Поверхневий
>30 В
>30 В
 
 
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
 
 
 
<8 пФVds = 10V (VGS)
<8 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
1 ВId = 10nA
1 ВId = 10nA
 
 
 
 
<30 В
<30 В
>2 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>2 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<250 Ом
<250 Ом
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors