На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PMBFJ109,215 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <250 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | <30 пФVds = 10V (VGS) |
Напруга відсічення | U0 | 6 ВId = 1µA |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В |
Постійний струм стоку | IDSS | >40 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <12 Ом |
Напруга пробою затвор-витік | VBRGSS | >25 В |