КТ315Б

КТ315, КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Г1, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И, КТ315Н, КТ315Р

Високочастотний малопотужний кремнієвий транзистор для роботи в схемах підсилювачів високої, проміжної і низької частоти

Documents

Этикетка

87 k, DJVU

Технические условия (1974)

1.5 M, PDF

Опис

Креслення корпусу транзистора КТ315

Кремнієві епітаксійно-планарні n-p-n транзистори загального застосування. Комплементарна пара: КТ361. Вид кліматичного виконання УХЛ.

Транзистори КТ315 мають літерні індекси від А до Р. Крім стандартного розподілу за коефіцієнтом передачі струму та максимальною напругою, частина транзисторів КТ315Ж, І, Н, Р має спеціальне призначення:

КТ315Ж відбирається за часом розсмоктування.
КТ315І спочатку призначалися для роботи в ланцюгах комутації сегментів вакуумних люмінесцентних індикаторів.
КТ315Н призначалися для використання лише у кольоровому телебаченні. При цьому "транзистор КТ315Н за вищою категорією якості не атестований".
КТ315Р проходять електротермотренування та призначені для застосування тільки у відеомагнітофонах "Електроніка-ВМ".

Модернізований варіант транзисторів КТ315А1-КТ315Р1 випускається білоруським підприємством "Інтеграл" у корпусі ТО-92.

Маркування

Транзистор КТ315 маркується буквеним індексом (одна буква від А до Р), нанесеним на лицьовій стороні зліва (на відміну від КТ361, в якому буквене маркування наноситься посередині, а також іноді відзначається двома смужками з боків).

Наявність точки у складі маркування є відмітним знаком транзисторів, призначених для кольорового телебачення. При цьому допускається застосування в іншій апаратурі.

Параметри

Параметр		КТ315А	КТ315Б	КТ315В	КТ315Г	КТ315Г1	КТ315Д	КТ315Е	КТ315Ж	КТ315И	КТ315Н	КТ315Р
Напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутої ланцюга емітера	U_CBO	<25 В	<20 В	<40 В	<35 В	<35 В	<40 В	<35 В	<20 В	<60 В	<20 В	<35 В
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера	U_CEO	<25 В	<20 В	<40 В	<35 В	<35 В	<40 В	<35 В	<20 В	<60 В	<20 В	<35 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора	P_C	<150 мВт	<150 мВт	<150 мВт	<150 мВт	<150 мВт	<150 мВт	<150 мВт	<100 мВт	<100 мВт	<100 мВт	<100 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора	hFE	30 ~ 120	50 ~ 350	30 ~ 120	50 ~ 350	100 ~ 350	20 ~ 90	50 ~ 350	30 ~ 250	>30	50 ~ 350	150 ~ 350
Зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданому зворотному напрузі колектор-база і розімкнутому виводі емітера	I_CB-R	<500 нА	<500 нА	<500 нА	<500 нА	<500 нА	<600 нА	<600 нА	<10 нА	<100 нА	<600 нА	<500 нА
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора	f_h21	<250 МГц
Структура біполярного транзистора	Структура	NPN