BC856

BC856, BC856,215, BC856A,215, BC856A-7-F, BC856AE6327, BC856ALT1, BC856ALT1G, BC856ALT3, BC856ALT3G, BC856AMTF, BC856AT,115, BC856A-TP, BC856AW,115, BC856AW,135, BC856AW-7-F, BC856B,215, BC856B,235, BC856B-7-F, BC856BE6327, BC856BE6433, BC856BLT1, BC856BLT1G, BC856BLT3, BC856BLT3G, BC856BMTF, BC856BT,115, BC856B-TP, BC856BW,115, BC856BW,135, BC856BW-7-F, BC856BWE6327, BC856BWE6433, BC856BWT1G, BC856CMTF, BC856T,115, BC856W,115, BC856W,135

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBC856,215BC856A,215BC856A-7-FBC856AE6327BC856ALT1BC856ALT1GBC856ALT3BC856ALT3GBC856AMTFBC856AT,115BC856A-TPBC856AW,115BC856AW,135BC856AW-7-FBC856B,215BC856B,235BC856B-7-FBC856BE6327BC856BE6433BC856BLT1BC856BLT1GBC856BLT3BC856BLT3GBC856BMTFBC856BT,115BC856B-TPBC856BW,115BC856BW,135BC856BW-7-FBC856BWE6327BC856BWE6433BC856BWT1GBC856CMTFBC856T,115BC856W,115BC856W,135
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SOT-23SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-323SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3SOT-23SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SOT-23SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-323SOT-323SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3
Виробник
Виробник
NXP SemiconductorsNXP SemiconductorsDiodes IncInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsMicro Commercial CoNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsDiodes IncNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsDiodes IncInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsMicro Commercial CoNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsDiodes IncInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesON SemiconductorFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<65 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<250 мВт<250 мВт<300 мВт<330 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<310 мВт<150 мВт<310 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт<250 мВт<250 мВт<300 мВт<330 мВт<330 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<310 мВт<150 мВт<310 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт<250 мВт<250 мВт<225 мВт<310 мВт<250 мВт<200 мВт<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>125Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>140Ic, Vce = 10µA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>250Ic, Vce = 10µA, 5V>250Ic, Vce = 10µA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>250Ic, Vce = 10µA, 5V>250Ic, Vce = 10µA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 100mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<100 МГц<100 МГц<200 МГц<250 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<150 МГц<100 МГц<200 МГц<100 МГц<100 МГц<200 МГц<100 МГц<100 МГц<200 МГц<250 МГц<250 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<150 МГц<100 МГц<200 МГц<100 МГц<100 МГц<200 МГц<250 МГц<250 МГц<100 МГц<150 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
(не задано)(не задано)<15 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<15 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)