Биполярные транзисторы - Elcomps.com
Всего найдено 18470 компонентов
ИзображениеИмяICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<200 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
 
 
 
 
 
 
<50 МГц
<50 МГц
<50 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<300 мА
<300 мА
<300 мА
 
 
 
 
 
 
<400 В
<400 В
<400 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>50Ic, Vce = 10mA, 10V
>50Ic, Vce = 10mA, 10V
>50Ic, Vce = 10mA, 10V
<750 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<750 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<750 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<1 мкА
<1 мкА
<1 мкА
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<350 мВт
<350 мВт
 
 
>50Ic, Vce = 10mA, 1V
>50Ic, Vce = 10mA, 1V
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<80 В
<80 В
<350 мВт
<350 мВт
 
 
>50Ic, Vce = 10mA, 1V
>50Ic, Vce = 10mA, 1V
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<300 мА
<300 мА
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<350 мВт
<350 мВт
 
 
>5000Ic, Vce = 10mA, 5V
>5000Ic, Vce = 10mA, 5V
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
 
 
 
 
<125 МГц
<125 МГц
 
 
 
 
NPN Darlington
NPN Darlington
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<300 мА
<300 мА
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<350 мВт
<350 мВт
 
 
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
 
 
 
 
<125 МГц
<125 МГц
 
 
 
 
NPN Darlington
NPN Darlington
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<600 мА
<600 мА
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<350 мВт
<350 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 150mA, 10V
>100Ic, Vce = 150mA, 10V
<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
<300 МГц
<300 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<350 мВт
<350 мВт
 
 
>250Ic, Vce = 1mA, 5V
>250Ic, Vce = 1mA, 5V
<350 мВIb, Ic = 100µA, 1mA
<350 мВIb, Ic = 100µA, 1mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<350 мВт
<350 мВт
 
 
>30Ic, Vce = 8mA, 10V
>30Ic, Vce = 8mA, 10V
 
 
 
 
 
 
<620 МГц
<620 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<600 мА
<600 мА
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<350 мВт
<350 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 150mA, 10V
>100Ic, Vce = 150mA, 10V
<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor