Биполярные транзисторы - Elcomps.com
Всего найдено 18470 компонентов
ИзображениеИмяICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
<1.5 А
 
 
<30 В
<500 мВт
 
>180Ic, Vce = 500mA, 2V
<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A
 
 
 
 
 
NPN
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
SOT-23-3
STMicroelectronics
<1.5 А
 
 
<15 В
<500 мВт
 
>200Ic, Vce = 500mA, 2V
<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A
 
 
 
 
 
PNP
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
SOT-23-3
STMicroelectronics
<1.5 А
 
 
<30 В
<500 мВт
 
>170Ic, Vce = 500mA, 2V
<450 мВIb, Ic = 100mA, 1A
 
 
<100 МГц
 
 
PNP
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
SOT-23-3
STMicroelectronics
<6 А
 
 
<80 В
<60 Вт
 
>50Ic, Vce = 2A, 4V
<600 мВIb, Ic = 200mA, 2A
 
 
<20 МГц
 
 
PNP
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
TO-247-3
STMicroelectronics
<10 А
 
 
<140 В
<100 Вт
 
>70Ic, Vce = 3A, 4V
<500 мВIb, Ic = 500mA, 5A
 
 
<20 МГц
 
 
PNP
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
TO-247-3
STMicroelectronics
<6 А
 
 
<80 В
<60 Вт
 
>50Ic, Vce = 2A, 4V
<1.5 ВIb, Ic = 600mA, 6A
 
 
<20 МГц
 
 
NPN
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
TO-247-3
STMicroelectronics
<10 А
 
 
<140 В
<100 Вт
 
>70Ic, Vce = 3A, 4V
<700 мВIb, Ic = 700mA, 7A
 
 
<20 МГц
 
 
NPN
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
TO-247-3
STMicroelectronics
<3 А
 
 
<80 В
<1 Вт
 
>160Ic, Vce = 1A, 2V
<500 мВIb, Ic = 150mA, 3A
 
 
<130 МГц
 
 
NPN
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
STMicroelectronics
<1.5 А
 
 
<20 В
<900 мВт
 
>200Ic, Vce = 100mA, 2V
<250 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
PNP
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
STMicroelectronics
<300 мА
<300 мА
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>200Ic, Vce = 10mA, 2V
>200Ic, Vce = 10mA, 2V
<220 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
<220 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
 
 
 
 
<520 МГц
<520 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co