Биполярные транзисторы - Elcomps.com
Всего найдено 18470 компонентов
ИзображениеИмяICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
<1 А
<1 А
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<500 мВт
<500 мВт
 
 
>270Ic, Vce = 100mA, 2V
>270Ic, Vce = 100mA, 2V
<350 мВIb, Ic = 25mA, 500mA
<350 мВIb, Ic = 25mA, 500mA
 
 
 
 
<320 МГц
<320 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TSMT3
TSMT3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<2 А
<2 А
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<400 мВт
<400 мВт
 
 
>270Ic, Vce = 200mA, 2V
>270Ic, Vce = 200mA, 2V
<180 мВIb, Ic = 50mA, 1A
<180 мВIb, Ic = 50mA, 1A
 
 
 
 
<360 МГц
<360 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TUMT3
TUMT3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<2 А
<2 А
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<400 мВт
<400 мВт
 
 
>270Ic, Vce = 100mA, 2V
>270Ic, Vce = 100mA, 2V
<350 мВIb, Ic = 50mA, 1A
<350 мВIb, Ic = 50mA, 1A
 
 
 
 
<300 МГц
<300 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TUMT3
TUMT3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<300 мА
<300 мА
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>820Ic, Vce = 4ma, 2V
>820Ic, Vce = 4ma, 2V
<100 мВIb, Ic = 3mA, 30mA
<100 мВIb, Ic = 3mA, 30mA
 
 
 
 
<35 МГц
<35 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<150 мА
<150 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>820Ic, Vce = 1mA, 5V
>820Ic, Vce = 1mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
VMT3
VMT3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<3 А
 
 
<30 В
<12.5 Вт
 
>100Ic, Vce = 100mA, 2V
<700 мВIb, Ic = 100mA, 2A
 
 
<100 МГц
 
 
NPN
 
 
 
 
 
 
<100 мкА
В отверстия
SOT-32-3, TO-126-3
STMicroelectronics
<34 А
 
 
<250 В
<250 Вт
 
>80Ic, Vce = 1A, 5V
<3 ВIb, Ic = 800mA, 8A
 
 
<25 МГц
 
 
PNP
 
 
 
 
 
 
 
На шасси/провод
TO-3
STMicroelectronics
<17 А
 
 
<250 В
<250 Вт
 
>80Ic, Vce = 1A, 5V
<3 ВIb, Ic = 800mA, 8A
 
 
<25 МГц
 
 
NPN
 
 
 
 
 
 
 
На шасси/провод
TO-204, TO-3
STMicroelectronics
<8 А
 
 
<120 В
<80 Вт
 
>70Ic, Vce = 3A, 4V
<1.5 ВIb, Ic = 300mA, 3A
 
 
<20 МГц
 
 
PNP
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
TO-3P
STMicroelectronics
<10 А
 
 
<140 В
<100 Вт
 
>70Ic, Vce = 3A, 4V
<500 мВIb, Ic = 500mA, 5A
 
 
<20 МГц
 
 
PNP
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
TO-3P
STMicroelectronics