Биполярные транзисторы - Elcomps.com
Всего найдено 18470 компонентов
ИзображениеИмяICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
<30 мА
<30 мА
<30 мА
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<400 мВт
<400 мВт
<400 мВт
 
 
 
 
>70Ic, Vce = 1mA, 10V
>110Ic, Vce = 1mA, 10V
<100 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<100 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<100 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
 
 
 
 
<300 МГц
<300 МГц
<300 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
M-Type
M-Type
M-Type
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
<1.5 А
 
 
<40 В
<10 Вт
 
>80Ic, Vce = 1A, 5V
<1 ВIb, Ic = 150mA, 1.5A
 
 
<150 МГц
 
 
NPN
 
 
 
 
 
 
<100 мкА
В отверстия
TO-126B-A1
Panasonic - SSG
<800 мА
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
 
 
<120 В
<120 В
<120 В
<900 мВт
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
>80Ic, Vce = 100mA, 5V
>120Ic, Vce = 100mA, 5V
<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
<120 МГц
<120 МГц
<120 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Long Body), TO-226
TO-92-3 (Long Body), TO-226
TO-92-3 (Long Body), TO-226
Toshiba
Toshiba
Toshiba
<1.5 А
<1.5 А
<1.5 А
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<900 мВт
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
>100Ic, Vce = 500mA, 2V
>160Ic, Vce = 500mA, 2V
<2 ВIb, Ic = 30mA, 1.5A
<2 ВIb, Ic = 30mA, 1.5A
<2 ВIb, Ic = 30mA, 1.5A
 
 
 
 
 
 
<120 МГц
<120 МГц
<120 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Long Body), TO-226
TO-92-3 (Long Body), TO-226
TO-92-3 (Long Body), TO-226
Toshiba
Toshiba
Toshiba
<100 мА
 
 
<250 В
<4 Вт
 
>40Ic, Vce = 40mA, 20V
<1.2 ВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
<100 МГц
 
 
NPN
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
TO-126B-A1
Panasonic - SSG
<1 А
<1 А
<1 А
 
 
 
 
 
 
<160 В
<160 В
<160 В
<900 мВт
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
>100Ic, Vce = 200mA, 5V
>160Ic, Vce = 200mA, 5V
<1.5 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
<1.5 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
<1.5 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Long Body), TO-226
TO-92-3 (Long Body), TO-226
TO-92-3 (Long Body), TO-226
Toshiba
Toshiba
Toshiba
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<35 В
<35 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>180Ic, Vce = 2mA, 5V
>180Ic, Vce = 2mA, 5V
<600 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
<600 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<1 мкА
<1 мкА
Поверхностный
Поверхностный
Mini3-G1 (SC-59)
Mini3-G1 (SC-59)
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<55 В
<55 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>260Ic, Vce = 2mA, 5V
>260Ic, Vce = 2mA, 5V
<600 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
<600 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<1 мкА
<1 мкА
Поверхностный
Поверхностный
Mini3-G1 (SC-59)
Mini3-G1 (SC-59)
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<32 В
<32 В
<32 В
<200 мВт
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
 
>120Ic, Vce = 100mA, 3V
>180Ic, Vce = 100mA, 3V
<600 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<600 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<600 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<150 мА
<150 мА
<150 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<200 мВт
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>180Ic, Vce = 1mA, 6V
<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
<180 МГц
<180 МГц
<180 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor