MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
 
135 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
 
<1.75 Вт
 
 
 
6.9 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
<60 В
<100 А
 
 
N-ch
<7.2 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
В отверстия
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
24 нCVgs = 10V
24 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<70 Вт
<70 Вт
 
 
 
 
 
 
600 пФVds = 30V
600 пФVds = 30V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<525 В
<525 В
<7.5 А
<7.5 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<920 мОмId, Vgs = 3.7A, 10V
<920 мОмId, Vgs = 3.7A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
 
 
 
15 пФVds = 10V
15 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<20 ОмId, Vgs = 10mA, 10V
<20 ОмId, Vgs = 10mA, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
 
 
 
15 пФVds = 10V
15 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<20 ОмId, Vgs = 10mA, 10V
<20 ОмId, Vgs = 10mA, 10V
 
 
В отверстия
В отверстия
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
 
 
Standard
Standard
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
 
 
Standard
Standard
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
International Rectifier
International Rectifier
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<150 мВт
<150 мВт
 
 
 
 
 
 
26 пФVds = 20V
26 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<2.9 ОмId, Vgs = 100mA, 4V
<2.9 ОмId, Vgs = 100mA, 4V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
13 нCVgs = 4.5V
13 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.4 Вт
<1.4 Вт
 
 
 
 
 
 
1.1 нФVds = 15V
1.1 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<5.7 А
<5.7 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<26.5 мОмId, Vgs = 5.7A, 10V
<26.5 мОмId, Vgs = 5.7A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Alpha & Omega Semiconductor In
Alpha & Omega Semiconductor In
 
 
12.2 нCVgs = 4.5V
12.2 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.4 Вт
<1.4 Вт
 
 
 
 
 
 
1.2 нФVds = 15V
1.2 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<4.3 А
<4.3 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<44 мОмId, Vgs = 4.3A, 10V
<44 мОмId, Vgs = 4.3A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Alpha & Omega Semiconductor In
Alpha & Omega Semiconductor In
 
4.34 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
 
<1.4 Вт
 
 
 
390 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
<30 В
<4 А
 
 
N-ch
<55 мОмId, Vgs = 4A, 10V
 
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Alpha & Omega Semiconductor In