MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
 
4.9 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
 
<700 мВт
 
 
 
355 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
<20 В
<3 А
 
 
N-ch
<70 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
 
Поверхностный
6-SSOT, SuperSOT-6
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
3.8 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
 
<800 мВт
 
 
 
273 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
<20 В
<4 А
 
 
N-ch
<100 мОмId, Vgs = 4A, 4.5V
 
Поверхностный
6-MLP, Power33
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
4 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
 
<800 мВт
 
 
 
280 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
<20 В
<3.5 А
 
 
P-ch
<140 мОмId, Vgs = 3.5A, 4.5V
 
Поверхностный
6-MLP, Power33
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
PowerTrench®
6 нCVgs = 4.5V
6 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<700 мВт
<700 мВт
 
 
 
 
 
 
455 пФVds = 10V
455 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<3.7 А
<3.7 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<68 мОмId, Vgs = 3.7A, 4.5V
<68 мОмId, Vgs = 3.7A, 4.5V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
6-MLP, 6-MicroFET™
6-MLP, 6-MicroFET™
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
PowerTrench®
10 нCVgs = 4.5V
10 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<700 мВт
<700 мВт
 
 
 
 
 
 
720 пФVds = 10V
720 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<3.1 А
<3.1 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<95 мОмId, Vgs = 3.1A, 4.5V
<95 мОмId, Vgs = 3.1A, 4.5V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
6-MLP, 6-MicroFET™
6-MLP, 6-MicroFET™
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
PowerTrench®
6 нCVgs = 4.5V
6 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<700 мВт
<700 мВт
 
 
 
 
 
 
435 пФVds = 10V
435 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<3 А
<3 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<120 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
<120 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
6-MLP, 6-MicroFET™
6-MLP, 6-MicroFET™
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
6 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
 
<700 мВт
 
 
 
435 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
<20 В
<3 А
 
 
P-ch
<120 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
 
Поверхностный
6-MLP, 6-MicroFET™
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
PowerTrench®
6 нCVgs = 4.5V
6 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<700 мВт
<700 мВт
 
 
 
 
 
 
435 пФVds = 10V
435 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<3 А
<3 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<120 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
<120 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
6-MLP, 6-MicroFET™
6-MLP, 6-MicroFET™
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
3 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
 
<650 мВт
 
 
 
220 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
<30 В
<2.9 А
 
 
N-ch
<123 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V
 
Поверхностный
6-MLP, 6-MicroFET™
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
PowerTrench®
3 нCVgs = 5V
3 нCVgs = 5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
182 пФVds = 10V
182 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<3.3 А
<3.3 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<125 мОмId, Vgs = 3.3A, 10V
<125 мОмId, Vgs = 3.3A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor