MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
CPH3348
CPH3348-TL-E
 
 
5.6 нCVgs = 4.5V
5.6 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
405 пФVds = 6V
405 пФVds = 6V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<3 А
<3 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<70 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
<70 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
CPH3427
CPH3427-TL-E
 
 
6.5 нCVgs = 10V
6.5 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
240 пФVds = 20V
240 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<1 А
<1 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<630 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
<630 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
CPH3430
CPH3430-TL-E
 
 
4.2 нCVgs = 4V
4.2 нCVgs = 4V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
325 пФVds = 20V
325 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<220 мОмId, Vgs = 1A, 4V
<220 мОмId, Vgs = 1A, 4V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
CPH3442
CPH3442-TL-E
 
 
16.1 нCVgs = 4V
16.1 нCVgs = 4V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.2 Вт
<1.2 Вт
 
 
 
 
 
 
1.295 нФVds = 10V
1.295 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<6.5 А
<6.5 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<24 мОмId, Vgs = 3A, 4V
<24 мОмId, Vgs = 3A, 4V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
CPH5852
CPH5852-TL-E
 
 
5.5 нCVgs = 10V
5.5 нCVgs = 10V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
200 пФVds = 10V
200 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<145 мОмId, Vgs = 1A, 10V
<145 мОмId, Vgs = 1A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
CPH6311
CPH6311-TL-E
 
 
31 нCVgs = 10V
31 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
1.23 нФVds = 10V
1.23 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<42 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
<42 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
CPH6341
CPH6341-TL-E
 
 
10 нCVgs = 10V
10 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
430 пФVds = 10V
430 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<59 мОмId, Vgs = 3A, 10V
<59 мОмId, Vgs = 3A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
CPH6411
CPH6411-TL-E
 
 
13 нCVgs = 4.5V
13 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
1.2 нФVds = 10V
1.2 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<6 А
<6 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<20 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
<20 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
CPH6429
CPH6429-TL-E
 
 
4.2 нCVgs = 4V
4.2 нCVgs = 4V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
325 пФVds = 20V
325 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<220 мОмId, Vgs = 1A, 4V
<220 мОмId, Vgs = 1A, 4V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
CPH6434
CPH6434-TL-E
 
 
7 нCVgs = 4V
7 нCVgs = 4V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
790 пФVds = 10V
790 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<6 А
<6 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<41 мОмId, Vgs = 3A, 4V
<41 мОмId, Vgs = 3A, 4V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co