MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
BSP170
BSP170PE6327
BSP170PE6327T
▾
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
14 нCVgs = 10V
14 нCVgs = 10V
14 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
410 пФVds = 25V
410 пФVds = 25V
410 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<1.9 А
<1.9 А
<1.9 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<300 мОмId, Vgs = 1.9A, 10V
<300 мОмId, Vgs = 1.9A, 10V
<300 мОмId, Vgs = 1.9A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
BSP171
BSP171PE6327
BSP171PE6327T
▾
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
20 нCVgs = 10V
20 нCVgs = 10V
20 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
460 пФVds = 25V
460 пФVds = 25V
460 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<1.9 А
<1.9 А
<1.9 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<300 мОмId, Vgs = 1.9A, 10V
<300 мОмId, Vgs = 1.9A, 10V
<300 мОмId, Vgs = 1.9A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
BSP220
BSP220,115
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.5 Вт
<1.5 Вт
 
 
 
 
 
 
90 пФVds = 25V
90 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<225 мА
<225 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<12 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
<12 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BSP225
BSP225,115
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.5 Вт
<1.5 Вт
 
 
 
 
 
 
90 пФVds = 25V
90 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<250 В
<250 В
<225 мА
<225 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<15 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
<15 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BSP230
BSP230,135
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.5 Вт
<1.5 Вт
 
 
 
 
 
 
90 пФVds = 25V
90 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<300 В
<300 В
<210 мА
<210 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<17 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
<17 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BSP250
BSP250,115
BSP250,135
 
 
 
25 нCVgs = 10V
25 нCVgs = 10V
25 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.65 Вт
<1.65 Вт
<1.65 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
250 пФVds = 20V
250 пФVds = 20V
250 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<3 А
<3 А
<3 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<250 мОмId, Vgs = 1A, 10V
<250 мОмId, Vgs = 1A, 10V
<250 мОмId, Vgs = 1A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BSP254
BSP254A,126
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
90 пФVds = 25V
90 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<250 В
<250 В
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<15 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
<15 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BSP295
BSP295E6327
BSP295E6327T
▾
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
17 нCVgs = 10V
17 нCVgs = 10V
17 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
368 пФVds = 25V
368 пФVds = 25V
368 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<1.8 А
<1.8 А
<1.8 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<300 мОмId, Vgs = 1.8A, 10V
<300 мОмId, Vgs = 1.8A, 10V
<300 мОмId, Vgs = 1.8A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
BSP296
BSP296E6327
BSP296E6433
▾
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
17.2 нCVgs = 10V
17.2 нCVgs = 10V
17.2 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.79 Вт
<1.79 Вт
<1.79 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
364 пФVds = 25V
364 пФVds = 25V
364 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<1.1 А
<1.1 А
<1.1 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<700 мОмId, Vgs = 1.1A, 10V
<700 мОмId, Vgs = 1.1A, 10V
<700 мОмId, Vgs = 1.1A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
BSP297
BSP297E6327
BSP297L6327
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
16.1 нCVgs = 10V
16.1 нCVgs = 10V
16.1 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
357 пФVds = 25V
357 пФVds = 25V
357 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<200 В
<660 мА
<660 мА
<660 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<1.8 ОмId, Vgs = 660mA, 10v
<1.8 ОмId, Vgs = 660mA, 10v
<1.8 ОмId, Vgs = 660mA, 10v
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies