MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
OptiMOS™
OptiMOS™
48.5 нCVgs = 10V
48.5 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
2.43 нФVds = 15V
2.43 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<12.5 А
<12.5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<20 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V
<20 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
41 нCVgs = 10V
41 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<76 Вт
<76 Вт
 
 
 
 
 
 
2.9 нФVds = 50V
2.9 нФVds = 50V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<45 А
<45 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<20.5 мОмId, Vgs = 45A, 10V
<20.5 мОмId, Vgs = 45A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
17 нCVgs = 10V
17 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<78 Вт
<78 Вт
 
 
 
 
 
 
1.1 нФVds = 50V
1.1 нФVds = 50V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<40 А
<40 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<25.2 мОмId, Vgs = 20A, 10V
<25.2 мОмId, Vgs = 20A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
21 нCVgs = 10V
21 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<78 Вт
<78 Вт
 
 
 
 
 
 
1.6 нФVds = 50V
1.6 нФVds = 50V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<40 А
<40 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<26.5 мОмId, Vgs = 20A, 10V
<26.5 мОмId, Vgs = 20A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
9.1 нCVgs = 10V
9.1 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<32 Вт
<32 Вт
 
 
 
 
 
 
756 пФVds = 40V
756 пФVds = 40V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<80 В
<80 В
<23 А
<23 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<34 мОмId, Vgs = 12A, 10V
<34 мОмId, Vgs = 12A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
73 нCVgs = 10V
73 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<69 Вт
<69 Вт
 
 
 
 
 
 
5.7 нФVds = 15V
5.7 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<100 А
<100 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<2.6 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<2.6 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
 
45 нCVgs = 10V
55 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<57 Вт
<57 Вт
<57 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3.7 нФVds = 15V
4.3 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<98 А
<98 А
<98 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<3.8 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<3.8 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<3.8 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
46 нCVgs = 10V
46 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<50 Вт
<50 Вт
 
 
 
 
 
 
3.6 нФVds = 15V
3.6 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<85 А
<85 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4.5 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<4.5 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
26 нCVgs = 10V
26 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<39 Вт
<39 Вт
 
 
 
 
 
 
2.1 нФVds = 15V
2.1 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<65 А
<65 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<6 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<6 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
 
16 нCVgs = 10V
20 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<28 Вт
<28 Вт
<28 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.3 нФVds = 15V
1.5 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
 
<45 А
<44 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<9 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<9.1 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies