MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
2SJ619
2SJ619(TE24L,Q)
 
 
48 нCVgs = 10V
48 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<75 Вт
<75 Вт
 
 
 
 
 
 
1.1 нФVds = 10V
1.1 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<16 А
<16 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<210 мОмId, Vgs = 6A, 10V
<210 мОмId, Vgs = 6A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
Toshiba
Toshiba
2SJ620
2SJ620(TE24L,Q)
 
 
140 нCVgs = 10V
140 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<125 Вт
<125 Вт
 
 
 
 
 
 
2.9 нФVds = 10V
2.9 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<18 А
<18 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<90 мОмId, Vgs = 9A, 10V
<90 мОмId, Vgs = 9A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
Toshiba
Toshiba
2SJ650
 
21 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
 
<2 Вт
 
 
 
1.02 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
<60 В
<12 А
 
 
P-ch
<135 мОмId, Vgs = 6A, 10V
 
В отверстия
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
2SJ651
 
45 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
 
<2 Вт
 
 
 
2.2 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
<60 В
<20 А
 
 
P-ch
<60 мОмId, Vgs = 10A, 10V
 
В отверстия
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
2SJ655
 
41 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
 
<2 Вт
 
 
 
2.09 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
<100 В
<12 А
 
 
P-ch
<136 мОмId, Vgs = 6A, 10V
 
В отверстия
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
2SJ656
 
74 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
 
<2 Вт
 
 
 
4.2 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
<100 В
<18 А
 
 
P-ch
<75.5 мОмId, Vgs = 9A, 10V
 
В отверстия
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
2SJ681
2SJ681(Q)
 
 
15 нCVgs = 10V
15 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<20 Вт
<20 Вт
 
 
 
 
 
 
700 пФVds = 10V
700 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<170 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V
<170 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V
 
 
В отверстия
В отверстия
 
Toshiba
Toshiba
2SJ683
2SJ683-TL-E
 
 
290 нCVgs = 10V
290 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<50 Вт
<50 Вт
 
 
 
 
 
 
15.5 нФVds = 20V
15.5 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<65 А
<65 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<10.5 мОмId, Vgs = 33A, 10V
<10.5 мОмId, Vgs = 33A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
2SJ77
2SJ77-E
 
 
 
 
Standard
Standard
 
 
<30 Вт
<30 Вт
 
 
 
 
 
 
120 пФVds = 10V
120 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<160 В
<160 В
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-220
TO-220
Renesas Technology America
Renesas Technology America
2SK060100
2SK060100L
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
45 пФVds = 10V
45 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<80 В
<80 В
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
<4 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Mini 3P
Mini 3P
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG