Полевые тразисторы - Elcomps.com
Всего найдено 25177 компонентов
ИзображениеИмяNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
 
 
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
 
 
 
<6 пФVds = 10V (VGS)
<6 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
5 ВId = 1µA
5 ВId = 1µA
 
 
 
 
<40 В
<40 В
>5 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>5 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<50 Ом
<50 Ом
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
 
 
 
<6 пФVds = 10V (VGS)
<6 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
3 ВId = 1µA
3 ВId = 1µA
 
 
 
 
<40 В
<40 В
>2 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>2 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<100 Ом
<100 Ом
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
 
 
 
<8 пФVds = 10V (VGS)
<8 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
5 ВId = 10nA
5 ВId = 10nA
 
 
 
 
<30 В
<30 В
>20 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>20 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<85 Ом
<85 Ом
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
 
 
 
<8 пФVds = 10V (VGS)
<8 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
3 ВId = 10nA
3 ВId = 10nA
 
 
 
 
<30 В
<30 В
>7 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>7 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<125 Ом
<125 Ом
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
 
 
 
<8 пФVds = 10V (VGS)
<8 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
1 ВId = 10nA
1 ВId = 10nA
 
 
 
 
<30 В
<30 В
>2 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>2 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<250 Ом
<250 Ом
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
 
 
 
<8 пФVds = 10V (VGS)
<8 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
800 мВId = 10nA
800 мВId = 10nA
 
 
 
 
<30 В
<30 В
>1.5 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>1.5 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<300 Ом
<300 Ом
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
 
 
<5 пФVds = 10V
<5 пФVds = 10V
 
 
 
 
1 ВId = 1µA
1 ВId = 1µA
 
 
 
 
<25 В
<25 В
>12 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
>12 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<50 Ом
<50 Ом
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
 
 
<5 пФVds = 10V
<5 пФVds = 10V
 
 
 
 
1 ВId = 1µA
1 ВId = 1µA
 
 
 
 
<25 В
<25 В
>12 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
>12 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<50 Ом
<50 Ом
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
 
 
<5 пФVds = 10V
<5 пФVds = 10V
 
 
 
 
2 ВId = 1µA
2 ВId = 1µA
 
 
 
 
<25 В
<25 В
>24 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
>24 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<50 Ом
<50 Ом
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
 
 
 
<16 пФVds = 20V
<16 пФVds = 20V
 
 
 
 
5 ВId = 1nA
5 ВId = 1nA
 
 
 
 
 
 
>30 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
>30 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<30 Ом
<30 Ом
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor