Полевые тразисторы - Elcomps.com
Всего найдено 25177 компонентов
ИзображениеИмяNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
 
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
4.5 ВId = 1µA
 
 
 
>500 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
N-ch
<3 Ом
 
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Fairchild Semiconductor
 
 
 
<100 мВт
<100 мВт
<100 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<8.2 пФVds = 0V
<8.2 пФVds = 0V
<8.2 пФVds = 0V
 
 
 
 
 
 
400 мВId = 100nA
400 мВId = 100nA
400 мВId = 100nA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>300 мкАmin.: Vgs=0; Vds=10V
>300 мкАmin.: Vgs=0; Vds=10V
>300 мкАmin.: Vgs=0; Vds=10V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
<100 мВт
<100 мВт
 
 
 
 
 
 
<3.5 пФVds = 5V
<3.5 пФVds = 5V
 
 
 
 
600 мВId = 1µA
600 мВId = 1µA
 
 
 
 
 
 
150 мкА ~ 1 мАmin.: Vgs=0; Vds=5V
150 мкА ~ 1 мАmin.: Vgs=0; Vds=5V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
 
<100 мВт
<100 мВт
<100 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<3.5 пФVds = 5V
<3.5 пФVds = 5V
<3.5 пФVds = 5V
 
 
 
 
 
 
600 мВId = 1µA
600 мВId = 1µA
600 мВId = 1µA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
100 мкА ~ 1 мАmin.: Vgs=0; Vds=5V
100 мкА ~ 1 мАmin.: Vgs=0; Vds=5V
100 мкА ~ 1 мАmin.: Vgs=0; Vds=5V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Short Body)
TO-92-3 (Short Body)
TO-92-3 (Short Body)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
<350 мВт
 
 
 
<16 пФVds = 20V
 
 
5 ВId = 1nA
 
 
 
>30 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
 
 
N-ch
<30 Ом
 
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
 
<350 мВт
 
 
 
<16 пФVds = 20V
 
 
2 ВId = 1nA
 
 
 
>15 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
 
 
N-ch
<50 Ом
 
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
 
<350 мВт
 
 
 
<16 пФVds = 20V
 
 
1 ВId = 1nA
 
 
 
>8 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
 
 
N-ch
<80 Ом
 
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
 
<225 мВт
 
 
 
<3 пФVds = 10V
 
 
600 мВId = 1nA
 
 
 
>30 мкАmin.: Vgs=0; Vds=10V
 
 
N-ch
 
 
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
 
<225 мВт
 
 
 
<3 пФVds = 10V
 
 
1 ВId = 1nA
 
 
 
>80 мкАmin.: Vgs=0; Vds=10V
 
 
N-ch
 
 
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
 
<225 мВт
 
 
 
<3 пФVds = 10V
 
 
2 ВId = 1nA
 
 
 
>200 мкАmin.: Vgs=0; Vds=10V
 
 
N-ch
 
 
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor