Полевые тразисторы - Elcomps.com
Всего найдено 25 177 компонентов
ИзображениеИмяNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
 
6 дБпри f = 0.25 ГГц
<3.5 Вт
<3.5 Вт
<3.5 Вт
10 ~ 25при Iс = 0.05 А
10 ~ 25при Iс = 0.05 А
10 ~ 25при Iс = 0.05 А
<10 мА
<10 мА
<10 мА
3 нАпри Uсз = 30В
3 нАпри Uсз = 30В
3 нАпри Uсз = 30В
11 пФ
11 пФ
11 пФ
 
0.6 пФ
0.6 пФ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<50 В
<50 В
<50 В
<200 мА
<200 мА
<200 мА
 
 
 
MOSFET
MOSFET
MOSFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<65 Вт
<65 Вт
<65 Вт
 
85 ~ 150при Uси = 10 В
50 ~ 130при Uси = 10 В
 
120 мА ~ 700 мА
60 мА ~ 480 мА
100 нАпри Uсз = 15В
100 нАпри Uсз = 15В
100 нАпри Uсз = 15В
18 пФ
18 пФ
18 пФ
15 пФ
15 пФ
15 пФ
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<15 В
<15 В
<15 В
<20 В
<20 В
<20 В
<700 мА
<700 мА
<700 мА
 
 
 
JFET
JFET
JFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 Вт
<50 Вт
<50 Вт
250 ~ 510при Iс = 1 А
250 ~ 510при Iс = 1 А
250 ~ 510при Iс = 1 А
<350 мАпри U = 20 В
<350 мАпри U = 20 В
<350 мАпри U = 20 В
 
300 пФ
300 пФ
300 пФ
 
7 пФ
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<30 В
<30 В
<30 В
<85 В
<85 В
<85 В
 
<5 А
<3 А
 
 
 
MOSFET
MOSFET
MOSFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
6 дБпри f = 1 ГГц
6 дБпри f = 1 ГГц
6 дБпри f = 1 ГГц
<4 Вт
<4 Вт
<4 Вт
18 ~ 39при Iс = 0.05 А
18 ~ 39при Iс = 0.05 А
18 ~ 39при Iс = 0.05 А
<20 мАпри U = 20 В
<20 мАпри U = 20 В
<20 мАпри U = 20 В
 
 
7 пФ
11 пФ
0.6 пФ
0.6 пФ
0.6 пФ
 
 
 
 
 
 
<70 В
<70 В
<70 В
<30 В
<30 В
<30 В
<60 В
<60 В
<60 В
 
<225 мА
<150 мА
 
 
 
MOSFET
MOSFET
MOSFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<11.5 Вт
<11.5 Вт
 
10 ~ 200при Iс = 0.5 А
110 ~ 200при Iс = 0.5 А
<100 мАпри U = 20 В
<100 мАпри U = 20 В
<100 мАпри U = 20 В
 
20 пФ
20 пФ
20 пФ
3 пФ
3 пФ
3 пФ
 
 
 
 
 
 
 
<70 В
<70 В
 
<30 В
<30 В
 
<60 В
<60 В
 
<1.7 А
<1.3 А
 
 
 
MOSFET
MOSFET
MOSFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<3.5 Вт
<3.5 Вт
<3.5 Вт
24 ~ 40при Iс = 0.08 А
24 ~ 40при Iс = 0.08 А
24 ~ 40при Iс = 0.08 А
1 мА ~ 25 мАпри U = 20 В
1 мА ~ 25 мАпри U = 20 В
1 мА ~ 25 мАпри U = 20 В
 
 
4.5 пФ
6.5 пФ
0.6 пФ
0.6 пФ
0.6 пФ
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<20 В
<20 В
<20 В
<40 В
<40 В
<40 В
 
<300 мА
<200 мА
 
 
 
MOSFET
MOSFET
MOSFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 Вт
<50 Вт
<50 Вт
350 ~ 900при Iс = 0.9 А
350 ~ 900при Iс = 0.9 А
350 ~ 900при Iс = 0.9 А
1 мА ~ 500 мАпри U = 20 В
1 мА ~ 500 мАпри U = 20 В
1 мА ~ 500 мАпри U = 20 В
 
125 пФ
125 пФ
125 пФ
6 пФ
6 пФ
6 пФ
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<25 В
<25 В
<25 В
<50 В
<50 В
<50 В
 
<6.5 А
<4 А
 
 
 
MOSFET
MOSFET
MOSFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>100
>100
>100
 
 
 
1 мкА
1 мкА
1 мкА
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<3.5 В
<3.5 В
<3.5 В
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Schottky
Schottky
Schottky
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
210А.22-3
210А.22-3
210А.22-3
 
 
 
 
<30 Вт
<30 Вт
<30 Вт
200 ~ 600при Iс = 0.5 А
200 ~ 600при Iс = 0.5 А
200 ~ 600при Iс = 0.5 А
 
<50 мАпри U = 20 В
<30 мАпри U = 20 В
 
80 пФ
80 пФ
80 пФ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<25 В
<25 В
<25 В
<50 В
<50 В
<50 В
 
<3 А
<2.5 А
 
 
 
MOSFET
MOSFET
MOSFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 Вт
<40 Вт
<40 Вт
800 ~ 2200при Iс = 0.9 А
800 ~ 2200при Iс = 0.9 А
800 ~ 2200при Iс = 0.9 А
 
 
 
 
500 пФ
500 пФ
500 пФ
16 пФ
16 пФ
16 пФ
 
 
 
 
 
 
 
<110 В
<70 В
<20 В
<20 В
<20 В
 
<100 В
<60 В
 
<8 А
<12 А
 
 
 
MOSFET
MOSFET
MOSFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
<800 мОм
<400 мОм
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Доход от майнинга