Полевые тразисторы - Elcomps.com
Всего найдено 25 177 компонентов
ИзображениеИмяNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
3.5 дБпри f = 8 ГГц
3.5 дБпри f = 8 ГГц
<450 мВт
<450 мВт
>30при Iс = 0.03 А
>30при Iс = 0.03 А
>150 мА
>150 мА
10 мкА
10 мкА
 
 
 
 
 
 
 
 
<8 В
<8 В
<4 В
<4 В
<6 В
<6 В
 
 
 
 
Schottky
Schottky
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
70 ~ 150при Iс = 0.25 А
90 ~ 150при Iс = 0.25 А
>500 мА
>500 мА
>500 мА
50 мкА
50 мкА
50 мкА
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<3.5 В
<3.5 В
<3.5 В
<8 В
<8 В
<8 В
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
Schottky
Schottky
Schottky
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
80 ~ 400при Uси = 3 В
80 ~ 400при Uси = 3 В
800 мА ~ 1.6 А
800 мА ~ 1.6 А
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<5 В
<5 В
<8 В
<8 В
 
 
<3.5 Вт
<3.5 Вт
Schottky
Schottky
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
15 ~ 30при Iс = 0.05 А
20 ~ 60при Iс = 0.1 А
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<3 В
<3 В
<3 В
<7 В
<7 В
<7 В
 
 
 
 
<600 мВт
<1.1 Вт
Schottky
Schottky
Schottky
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
5 дБпри f = 0.4 ГГц
5 дБпри f = 0.4 ГГц
5 дБпри f = 0.4 ГГц
<1.2 Вт
<1.2 Вт
<1.2 Вт
 
>30
>25
 
 
 
1 нА
1 нА
1 нА
10 пФ
10 пФ
10 пФ
3.2 пФ
3.2 пФ
3.2 пФ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<25 В
<20 В
 
<190 мА
<110 мА
 
 
 
JFET
JFET
JFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<90 В
<70 В
<2 А
<2 А
<2 А
 
 
 
SIT
SIT
SIT
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<150 Вт
>13000при Iс = 25 А
 
100 нАпри Uсз = 20В
2.8 нФ
 
 
 
 
<20 В
<100 В
<38 А
 
MOSFET
N-ch
<55 мОм
<140 А
 
 
 
<125 Вт
>6900при Iс = 11 А
 
100 нАпри Uсз = 20В
1.3 нФ
 
 
 
 
<20 В
<200 В
<18 А
 
MOSFET
N-ch
<180 мОм
<72 А
 
 
 
<150 Вт
>12000при Iс = 18 А
 
100 нАпри Uсз = 20В
2.8 нФ
 
 
 
 
<20 В
<200 В
<30 А
 
MOSFET
N-ch
<85 мОм
<120 А
 
 
 
<125 Вт
>7700при Iс = 6 А
 
100 нАпри Uсз = 20В
1.4 нФ
 
 
 
 
<20 В
<400 В
<10 А
 
MOSFET
N-ch
<550 мОм
<38 А
 
 
 
Доход от майнинга