Полевые тразисторы - Elcomps.com
Всего найдено 25 177 компонентов
ИзображениеИмяNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
 
<200 мВт
<200 мВт
<200 мВт
10 ~ 14при Iс = 10 мА
10 ~ 14при Iс = 10 мА
10 ~ 14при Iс = 10 мА
20 А ~ 87 Апри U = 5 В
20 А ~ 87 Апри U = 5 В
20 А ~ 87 Апри U = 5 В
1 нАпри Uсз = 10В
1 нАпри Uсз = 10В
1 нАпри Uсз = 10В
5.5 пФ
5.5 пФ
5.5 пФ
2.5 пФ
2.5 пФ
2.5 пФ
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<25 В
<25 В
<25 В
<25 В
<25 В
<25 В
 
 
 
 
 
 
JFET
JFET
JFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 мВт
<60 мВт
10 ~ 13при Iс = 5 мА
10 ~ 13при Iс = 5 мА
 
 
300 пАпри Uсз = 15В
300 пАпри Uсз = 15В
5 пФ
5 пФ
2 пФ
2 пФ
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
<25 В
<20 В
<20 В
<10 мА
<10 мА
 
 
JFET
JFET
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2.4 дБпри f = 8 ГГц
2.4 дБпри f = 8 ГГц
<250 мВт
<250 мВт
>10при Iс = 10 мА
>10при Iс = 10 мА
50 А ~ 90 Апри U = 2 В
50 А ~ 90 Апри U = 2 В
1 мкА
1 мкА
 
 
 
 
 
 
 
 
<7 В
<7 В
<5 В
<5 В
<5.5 В
<5.5 В
 
 
 
 
Schottky
Schottky
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 мВт
<60 мВт
<60 мВт
>4при Iс = 10 мА
>4при Iс = 10 мА
>4при Iс = 10 мА
 
 
 
1 нАпри Uсз = 10В
1 нАпри Uсз = 10В
1 нАпри Uсз = 10В
6 пФ
6 пФ
6 пФ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<30 В
<30 В
<30 В
<25 В
<25 В
<25 В
 
 
 
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3 дБпри f = 0.4 ГГц
3 дБпри f = 0.4 ГГц
3 дБпри f = 0.4 ГГц
<150 мВт
<150 мВт
<150 мВт
 
15 ~ 30при Uси = 5 В
18 ~ 32при Uси = 5 В
 
4.5 А ~ 20 Апри U = 5 В
16 А ~ 30 Апри U = 5 В
1 нАпри Uсз = 10В
1 нАпри Uсз = 10В
1 нАпри Uсз = 10В
4.2 пФ
4.2 пФ
4.2 пФ
1 пФ
1 пФ
1 пФ
 
 
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<15 В
<10 В
<10 В
<10 В
<15 В
<15 В
<15 В
 
 
 
 
 
 
JFET
JFET
JFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 мВт
<200 мВт
>18при Iс = 20 мА
>18при Iс = 20 мА
 
 
 
7 пФ
7 пФ
0.6 пФ
0.6 пФ
 
 
 
 
<70 В
<70 В
<30 В
<30 В
<60 В
<60 В
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2 дБпри f = 12 ГГц
2 дБпри f = 12 ГГц
<35 мВт
<35 мВт
>10при Iс = 10 мА
>10при Iс = 10 мА
<20 Апри U = 2 В
<20 Апри U = 2 В
1 мкА
1 мкА
 
 
 
 
 
 
 
 
<6 В
<6 В
<3 В
<3 В
<3.5 В
<3.5 В
 
 
 
 
Schottky
Schottky
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.4 дБ
1.4 дБ
<100 мВт
<100 мВт
>15при Iс = 20 мА
>15при Iс = 20 мА
 
 
1 мкАпри Uсз = 2.5В
1 мкАпри Uсз = 2.5В
 
 
 
 
 
 
 
 
<7 В
<7 В
<4 В
<4 В
<4.5 В
<4.5 В
 
 
 
 
Schottky
Schottky
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<80 мВт
<80 мВт
15 ~ 27при Iс = 20 мА
15 ~ 27при Iс = 20 мА
20 А ~ 60 Апри U = 2 В
20 А ~ 60 Апри U = 2 В
100 нАпри Uсз = 2В
100 нАпри Uсз = 2В
0.35 пФ
0.35 пФ
 
 
 
 
 
 
 
 
<2 В
<2 В
<4 В
<4 В
 
 
 
 
Schottky
Schottky
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3.5 дБпри f = 0.8 ГГц
4.5 дБпри f = 0.8 ГГц
<200 мВт
<200 мВт
<200 мВт
 
>12при Iс = 10 мА
>12при Iс = 10 мА
<20 Апри U = 10 В
<20 Апри U = 10 В
<20 Апри U = 10 В
50 нАпри Uсз = 5В
50 нАпри Uсз = 5В
50 нАпри Uсз = 5В
 
2.6 пФ
3 пФ
 
0.035 пФ
0.045 пФ
 
 
 
 
 
 
<16 В
<16 В
<16 В
<16 В
<16 В
<16 В
<14 В
<14 В
<14 В
 
 
 
 
 
 
MOSFET
MOSFET
MOSFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Доход от майнинга