Стабилитроны, стабисторы - Elcomps.com
Всего найдено 11372 компонентов
ИзображениеИмяUFМонтажtCPUstIstRstastСерияКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
Поверхностный
Поверхностный
 
 
<250 мВт
<250 мВт
9.1 В
9.1 В
 
 
10 Ом
10 Ом
 
 
 
 
SOD-882
SOD-882
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
1.1 ВIf = 200mA
1.1 ВIf = 200mA
Поверхностный
Поверхностный
 
 
<500 мВт
<500 мВт
15 В
15 В
 
 
100 Ом
100 Ом
 
 
 
 
DO-213AA
DO-213AA
Microsemi
Microsemi
1.1 ВIf = 200mA
1.1 ВIf = 200mA
Поверхностный
Поверхностный
 
 
<500 мВт
<500 мВт
33 В
33 В
 
 
200 Ом
200 Ом
 
 
 
 
DO-213AA
DO-213AA
Microsemi
Microsemi
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
<100 мВт
<100 мВт
<100 мВт
 
10 В
11 В
 
 
 
 
30 Ом
30 Ом
 
 
 
 
 
 
VMN2
VMN2
VMN2
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
1.2 ВIf = 200mA
1.2 ВIf = 200mA
Поверхностный
Поверхностный
 
 
<2 Вт
<2 Вт
12 В
12 В
 
 
30 Ом
30 Ом
 
 
 
 
3-4E1A (M-Flat)
3-4E1A (M-Flat)
Toshiba
Toshiba
1.2 ВIf = 200mA
1.2 ВIf = 200mA
Поверхностный
Поверхностный
 
 
<2 Вт
<2 Вт
13 В
13 В
 
 
30 Ом
30 Ом
 
 
 
 
3-4E1A (M-Flat)
3-4E1A (M-Flat)
Toshiba
Toshiba
1.2 ВIf = 200mA
1.2 ВIf = 200mA
Поверхностный
Поверхностный
 
 
<2 Вт
<2 Вт
15 В
15 В
 
 
30 Ом
30 Ом
 
 
 
 
3-4E1A (M-Flat)
3-4E1A (M-Flat)
Toshiba
Toshiba
1.2 ВIf = 200mA
1.2 ВIf = 200mA
Поверхностный
Поверхностный
 
 
<2 Вт
<2 Вт
16 В
16 В
 
 
30 Ом
30 Ом
 
 
 
 
3-4E1A (M-Flat)
3-4E1A (M-Flat)
Toshiba
Toshiba
1.2 ВIf = 200mA
1.2 ВIf = 200mA
Поверхностный
Поверхностный
 
 
<2 Вт
<2 Вт
18 В
18 В
 
 
30 Ом
30 Ом
 
 
 
 
3-4E1A (M-Flat)
3-4E1A (M-Flat)
Toshiba
Toshiba
1.2 ВIf = 200mA
1.2 ВIf = 200mA
Поверхностный
Поверхностный
 
 
<2 Вт
<2 Вт
20 В
20 В
 
 
30 Ом
30 Ом
 
 
 
 
3-4E1A (M-Flat)
3-4E1A (M-Flat)
Toshiba
Toshiba