Стабилитроны, стабисторы - Elcomps.com
Всего найдено 11372 компонентов
ИзображениеИмяUFМонтажtCPUstIstRstastСерияКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
<250 мВт
<250 мВт
<250 мВт
47 В
47 В
47 В
 
 
 
170 Ом
170 Ом
170 Ом
 
 
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
47 В
47 В
47 В
 
 
 
170 Ом
170 Ом
170 Ом
 
 
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
 
Diodes Inc
Diodes Inc
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
4.3 В
4.3 В
4.3 В
 
 
 
90 Ом
90 Ом
90 Ом
 
 
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Diodes Inc
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
<250 мВт
<250 мВт
<250 мВт
4.3 В
4.3 В
4.3 В
 
 
 
90 Ом
90 Ом
90 Ом
 
 
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
4.7 В
4.7 В
4.7 В
 
 
 
80 Ом
80 Ом
80 Ом
 
 
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Diodes Inc
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
<250 мВт
<250 мВт
<250 мВт
4.7 В
4.7 В
4.7 В
 
 
 
80 Ом
80 Ом
80 Ом
 
 
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
<250 мВт
<250 мВт
<250 мВт
51 В
51 В
51 В
 
 
 
180 Ом
180 Ом
180 Ом
 
 
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
51 В
51 В
51 В
 
 
 
180 Ом
180 Ом
180 Ом
 
 
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
 
Diodes Inc
Diodes Inc
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
Поверхностный
Поверхностный
 
 
<250 мВт
<250 мВт
56 В
56 В
 
 
200 Ом
200 Ом
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
<225 мВт
<225 мВт
<225 мВт
56 В
56 В
56 В
 
 
 
200 Ом
200 Ом
200 Ом
 
 
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor