Стабилитроны, стабисторы - Elcomps.com
Всего найдено 11372 компонентов
ИзображениеИмяUFМонтажtCPUstIstRstastСерияКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
<250 мВт
<250 мВт
<250 мВт
3 В
3 В
3 В
 
 
 
95 Ом
95 Ом
95 Ом
 
 
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
3 В
3 В
3 В
 
 
 
 
95 Ом
95 Ом
 
 
 
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
 
Diodes Inc
Diodes Inc
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
3.3 В
3.3 В
3.3 В
 
 
 
95 Ом
95 Ом
95 Ом
 
 
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Diodes Inc
Diodes Inc
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
<250 мВт
<250 мВт
<250 мВт
3.3 В
3.3 В
3.3 В
 
 
 
95 Ом
95 Ом
95 Ом
 
 
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
3.6 В
3.6 В
3.6 В
 
 
 
90 Ом
90 Ом
90 Ом
 
 
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Diodes Inc
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
<250 мВт
<250 мВт
<250 мВт
3.6 В
3.6 В
3.6 В
 
 
 
90 Ом
90 Ом
90 Ом
 
 
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
3.9 В
3.9 В
3.9 В
 
 
 
90 Ом
90 Ом
90 Ом
 
 
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Diodes Inc
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
<250 мВт
<250 мВт
<250 мВт
3.9 В
3.9 В
3.9 В
 
 
 
90 Ом
90 Ом
90 Ом
 
 
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
Поверхностный
Поверхностный
 
 
<250 мВт
<250 мВт
43 В
43 В
 
 
150 Ом
150 Ом
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
900 мВIf = 10mA
900 мВIf = 10mA
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
43 В
43 В
43 В
 
 
 
150 Ом
150 Ом
150 Ом
 
 
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
 
Diodes Inc
Diodes Inc