Диодные сборки и мосты - Elcomps.com
Всего найдено 8821 компонентов
ИзображениеИмяURIFСоединениеСерияUFIF-iIRfUF-iUR RMSМонтажUR-iIOLtCCDtRECТехнологияСкоростьКорпусПроизводитель
  
От
До
<300 В
<300 В
<300 В
<60 А
<60 А
<60 А
2 (общий катод)
2 (общий катод)
2 (общий катод)
SBR®
SBR®
SBR®
940 мВIf = 30A
940 мВIf = 30A
940 мВIf = 30A
 
 
 
<100 мкАUr = 300V
<100 мкАUr = 300V
<100 мкАUr = 300V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 нс
<50 нс
<50 нс
Schottky
Schottky
Schottky
Fast Recovery
Fast Recovery
Fast Recovery
 
TO-220-3 (Straight Leads)
TO-247-3 (Straight Leads)
Diodes Inc
Diodes Inc
Diodes Inc
<45 В
<45 В
<60 А
<60 А
2 (общий катод)
2 (общий катод)
SBR®
SBR®
550 мВIf = 30A
550 мВIf = 30A
 
 
<1 мАUr = 45V
<1 мАUr = 45V
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Schottky
Schottky
Fast Recovery
Fast Recovery
TO-220-3 (Straight Leads)
TO-220-3 (Straight Leads)
Diodes Inc
Diodes Inc
<60 В
<60 В
<60 А
<60 А
2 (общий катод)
2 (общий катод)
SBR®
SBR®
620 мВIf = 30A
620 мВIf = 30A
 
 
<200 мкАUr = 60V
<200 мкАUr = 60V
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Schottky
Schottky
Fast Recovery
Fast Recovery
TO-220-3 (Straight Leads)
TO-220-3 (Straight Leads)
Diodes Inc
Diodes Inc
<45 В
<45 В
<15 А
<15 А
2 (общий катод)
2 (общий катод)
SWITCHMODE™
SWITCHMODE™
620 мВIf = 15A
620 мВIf = 15A
 
 
<200 мкАUr = 45V
<200 мкАUr = 45V
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Schottky
Schottky
Fast Recovery
Fast Recovery
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<15 В
<15 В
<1 А
<1 А
2 независимых
2 независимых
 
 
400 мВIf = 1A
400 мВIf = 1A
 
 
<500 мкАUr = 6V
<500 мкАUr = 6V
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
 
 
 
 
 
<15 нс
<15 нс
Schottky
Schottky
Fast Recovery
Fast Recovery
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
<30 В
<30 В
<2 А
<2 А
2 независимых
2 независимых
 
 
400 мВIf = 2A
400 мВIf = 2A
 
 
<1.25 мАUr = 15V
<1.25 мАUr = 15V
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 нс
<20 нс
Schottky
Schottky
Fast Recovery
Fast Recovery
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
<30 В
<30 В
<3 А
<3 А
2 независимых
2 независимых
 
 
420 мВIf = 3A
420 мВIf = 3A
 
 
<1.4 мАUr = 15V
<1.4 мАUr = 15V
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 нс
<20 нс
Schottky
Schottky
Fast Recovery
Fast Recovery
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
<160 В
<160 В
<10 А
<10 А
2 (общий катод)
2 (общий катод)
 
 
880 мВIf = 5A
880 мВIf = 5A
 
 
<200 мкАUr = 160V
<200 мкАUr = 160V
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Schottky
Schottky
Fast Recovery
Fast Recovery
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
<40 В
<60 В
<15 А
<15 А
<15 А
2 (общий катод)
2 (общий катод)
2 (общий катод)
 
 
 
 
550 мВIf = 6A
580 мВIf = 6A
 
 
 
 
<200 мкАUr = 20V
<200 мкАUr = 30V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Schottky
Schottky
Schottky
Fast Recovery
Fast Recovery
Fast Recovery
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
<40 В
<60 В
<25 А
<25 А
<25 А
2 (общий катод)
2 (общий катод)
2 (общий катод)
 
 
 
 
550 мВIf = 10A
600 мВIf = 10A
 
 
 
 
<300 мкАUr = 20V
<300 мкАUr = 30V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Schottky
Schottky
Schottky
Fast Recovery
Fast Recovery
Fast Recovery
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co