JFET - Elcomps.com
Всего найдено 366 компонентов
ИзображениеИмяМонтажVBRGSSNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IКорпусПроизводитель
  
От
До
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
 
<125 мВт
<125 мВт
 
 
 
 
 
 
<5 пФVds = 10V
<5 пФVds = 10V
 
 
 
 
3.5 ВId = 1µA
3.5 ВId = 1µA
 
 
 
 
 
 
1.4 мА ~ 10 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
1.4 мА ~ 10 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
SS Mini 2P
SS Mini 2P
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
 
 
 
<100 мВт
<100 мВт
<100 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
107 мкА ~ 2 мАmin.: Vgs=0; Vds=2V
107 мкА ~ 2 мАmin.: Vgs=0; Vds=2V
107 мкА ~ 2 мАmin.: Vgs=0; Vds=2V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
SSS Mini 3P
SSS Mini 3P
SSS Mini 3P
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
 
 
 
<100 мВт
<100 мВт
<100 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
107 мкА ~ 2 мАmin.: Vgs=0; Vds=2V
107 мкА ~ 2 мАmin.: Vgs=0; Vds=2V
107 мкА ~ 2 мАmin.: Vgs=0; Vds=2V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
SSS Mini 3P
SSS Mini 3P
SSS Mini 3P
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
 
<100 мВт
<100 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
107 мкА ~ 2 мАmin.: Vgs=0; Vds=2V
107 мкА ~ 2 мАmin.: Vgs=0; Vds=2V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
SSS Mini 3P
SSS Mini 3P
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
В отверстия
В отверстия
 
 
 
 
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
 
 
 
<9 пФVds = 10V
<9 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
6 мА ~ 20 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
6 мА ~ 20 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
В отверстия
В отверстия
В отверстия
 
>30 В
>30 В
 
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
600 мВId = 100nA
600 мВId = 100nA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>30 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>30 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
В отверстия
В отверстия
В отверстия
>25 В
>25 В
>25 В
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
600 мВId = 100nA
600 мВId = 100nA
600 мВId = 100nA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>30 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>30 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>30 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
 
 
 
 
<250 мВт
<225 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<4 пФVds = 10V
<5 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
5 ВId = 0.5nA
5 ВId = 0.5nA
5 ВId = 0.5nA
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
 
4 мА ~ 10 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
>4 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
 
NXP Semiconductors
ON Semiconductor