JFET - Elcomps.com
Всего найдено 366 компонентов
ИзображениеИмяМонтажVBRGSSNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IКорпусПроизводитель
  
От
До
В отверстия
>30 В
 
<625 мВт
 
 
 
 
 
 
4 ВId = 1nA
 
 
 
>500 мкАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
N-ch
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
В отверстия
В отверстия
>30 В
>30 В
 
 
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
6 ВId = 1nA
6 ВId = 1nA
 
 
 
 
 
 
>4 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>4 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
В отверстия
В отверстия
В отверстия
>30 В
>30 В
>30 В
 
 
 
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<14 пФVds = 20V
<14 пФVds = 20V
<14 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
4 ВId = 1nA
4 ВId = 1nA
4 ВId = 1nA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>50 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
>50 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
>50 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<30 Ом
<30 Ом
<30 Ом
 
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
В отверстия
В отверстия
В отверстия
>30 В
>30 В
>30 В
 
 
 
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<14 пФVds = 20V
<14 пФVds = 20V
<14 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
2 ВId = 1nA
2 ВId = 1nA
2 ВId = 1nA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>25 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
>25 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
>25 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<60 Ом
<60 Ом
<60 Ом
 
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
В отверстия
В отверстия
В отверстия
>30 В
>30 В
>30 В
 
 
 
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<14 пФVds = 20V
<14 пФVds = 20V
<14 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
500 мВId = 1nA
500 мВId = 1nA
500 мВId = 1nA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>5 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
>5 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
>5 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<100 Ом
<100 Ом
<100 Ом
 
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
В отверстия
>30 В
 
<625 мВт
 
 
 
<18 пФVds = 10V
 
 
4 ВId = 0.5nA
 
 
<30 В
>80 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
N-ch
<60 Ом
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
В отверстия
В отверстия
>25 В
>25 В
 
 
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
<30 пФVds = 10V (VGS)
<30 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
4 ВId = 3nA
4 ВId = 3nA
 
 
 
 
 
 
>150 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>150 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<5 Ом
<5 Ом
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
В отверстия
В отверстия
В отверстия
>25 В
>25 В
>25 В
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 пФVds = 10V (VGS)
<30 пФVds = 10V (VGS)
<30 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
 
 
1 ВId = 3nA
1 ВId = 3nA
1 ВId = 3nA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>30 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>30 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>30 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<10 Ом
<10 Ом
<10 Ом
 
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
 
<100 мВт
<100 мВт
 
 
 
 
 
 
<3.1 пФVds = 2V
<3.1 пФVds = 2V
 
 
 
 
1 ВId = 1µA
1 ВId = 1µA
 
 
 
 
 
 
210 мкА ~ 1 мАmin.: Vgs=0; Vds=2V
210 мкА ~ 1 мАmin.: Vgs=0; Vds=2V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
В отверстия
В отверстия
>30 В
>30 В
 
 
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
<18 пФVds = 10V (VGS)
<18 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
2 ВId = 4nA
2 ВId = 4nA
 
 
 
 
 
 
>20 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>20 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<40 Ом
<40 Ом
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor