JFET - Elcomps.com
Всего найдено 366 компонентов
ИзображениеИмяМонтажVBRGSSNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IКорпусПроизводитель
  
От
До
В отверстия
В отверстия
>30 В
>30 В
 
 
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
<10 пФVds = 15V (VGS)
<10 пФVds = 15V (VGS)
 
 
 
 
2 ВId = 10nA
2 ВId = 10nA
 
 
 
 
<30 В
<30 В
>25 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>25 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<60 Ом
<60 Ом
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
ON Semiconductor
В отверстия
В отверстия
В отверстия
>30 В
>30 В
>30 В
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<10 пФVds = 15V (VGS)
<10 пФVds = 15V (VGS)
<10 пФVds = 15V (VGS)
 
 
 
 
 
 
500 мВId = 10nA
500 мВId = 10nA
500 мВId = 10nA
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
>5 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>5 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>5 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<100 Ом
<100 Ом
<100 Ом
 
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
В отверстия
В отверстия
В отверстия
>30 В
>30 В
>30 В
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<45 пФVds = 15V
<45 пФVds = 15V
<45 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
10 ВId = 1µA
10 ВId = 1µA
10 ВId = 1µA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>10 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
>10 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
>10 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<75 Ом
<75 Ом
<75 Ом
 
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
В отверстия
В отверстия
В отверстия
>30 В
>30 В
>30 В
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<45 пФVds = 15V
<45 пФVds = 15V
<45 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
5 ВId = 1µA
5 ВId = 1µA
5 ВId = 1µA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>5 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
>5 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
>5 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<150 Ом
<150 Ом
<150 Ом
 
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
В отверстия
>30 В
 
<350 мВт
 
 
 
<45 пФVds = 15V
 
 
5 ВId = 1µA
 
 
 
>5 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
 
 
P-ch
<150 Ом
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
В отверстия
>40 В
 
<625 мВт
 
 
 
<16 пФVds = 15V
 
 
700 мВId = 1nA
 
 
 
>4 нАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
N-ch
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
В отверстия
>40 В
 
<625 мВт
 
 
 
<16 пФVds = 15V
 
 
1.2 ВId = 1nA
 
 
 
>10 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
N-ch
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
В отверстия
>30 В
 
 
 
 
 
 
 
 
1.7 ВId = 1nA
 
 
 
>30 мкАmin.: Vgs=0; Vds=10V
 
 
N-ch
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Поверхностный
Поверхностный
>40 В
>40 В
 
 
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
 
 
<14 пФVds = 20V
<14 пФVds = 20V
 
 
 
 
4 ВId = 1nA
4 ВId = 1nA
 
 
 
 
<40 В
<40 В
>50 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
>50 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<30 Ом
<30 Ом
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
Поверхностный
Поверхностный
>40 В
>40 В
 
 
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
 
 
<14 пФVds = 20V
<14 пФVds = 20V
 
 
 
 
2 ВId = 1nA
2 ВId = 1nA
 
 
 
 
<40 В
<40 В
>25 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
>25 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors