JFET - Elcomps.com
Всего найдено 366 компонентов
ИзображениеИмяМонтажVBRGSSNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IКорпусПроизводитель
  
От
До
Поверхностный
>35 В
 
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
500 мВId = 1µA
 
 
 
>2 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
N-ch
<100 Ом
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
>30 В
>30 В
>30 В
 
 
 
<225 мВт
<225 мВт
<225 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<11 пФVds = 10V (VGS)
<11 пФVds = 10V (VGS)
<11 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
 
 
3 ВId = 10nA
3 ВId = 10nA
3 ВId = 10nA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>7 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>7 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>7 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<125 Ом
<125 Ом
<125 Ом
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
Поверхностный
>30 В
 
<225 мВт
 
 
 
 
 
 
1 ВId = 10nA
 
 
 
>2 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
P-ch
<250 Ом
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
>30 В
>30 В
>30 В
 
 
 
<225 мВт
<225 мВт
<225 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<11 пФVds = 10V (VGS)
<11 пФVds = 10V (VGS)
<11 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
 
 
800 мВId = 10nA
800 мВId = 10nA
800 мВId = 10nA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>1.5 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>1.5 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>1.5 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<300 Ом
<300 Ом
<300 Ом
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
Поверхностный
>40 В
 
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
300 мВId = 10nA
 
 
 
>200 мкАmin.: Vgs=0; Vds=20V
 
 
N-ch
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Поверхностный
>40 В
 
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
800 мВId = 10nA
 
 
 
>900 мкАmin.: Vgs=0; Vds=20V
 
 
N-ch
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Поверхностный
>40 В
 
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
2 ВId = 10nA
 
 
 
>4 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
 
 
N-ch
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Поверхностный
>30 В
 
<225 мВт
 
 
 
 
 
 
500 мВId = 1nA
 
 
 
>2 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
P-ch
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Поверхностный
>30 В
 
<225 мВт
 
 
 
 
 
 
1.5 ВId = 1nA
 
 
 
>6 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
P-ch
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
>25 В
>25 В
>25 В
 
 
 
<225 мВт
<225 мВт
<225 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<5 пФVds = 10V (VGS)
<5 пФVds = 10V (VGS)
<5 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
 
 
2.5 ВId = 1nA
2.5 ВId = 1nA
2.5 ВId = 1nA
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
>24 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
>24 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
>24 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor