JFET - Elcomps.com
Всего найдено 366 компонентов
ИзображениеИмяМонтажVBRGSSNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IКорпусПроизводитель
  
От
До
В отверстия
В отверстия
В отверстия
>30 В
>30 В
>30 В
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
800 мВId = 10nA
800 мВId = 10nA
800 мВId = 10nA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>1.5 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>1.5 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>1.5 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<300 Ом
<300 Ом
<300 Ом
 
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
В отверстия
В отверстия
В отверстия
>40 В
>40 В
>40 В
 
 
 
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
300 мВId = 10nA
300 мВId = 10nA
300 мВId = 10nA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>200 мкАmin.: Vgs=0; Vds=20V
>200 мкАmin.: Vgs=0; Vds=20V
>200 мкАmin.: Vgs=0; Vds=20V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
В отверстия
В отверстия
В отверстия
>40 В
>40 В
>40 В
 
 
 
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
800 мВId = 10nA
800 мВId = 10nA
800 мВId = 10nA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>900 мкАmin.: Vgs=0; Vds=20V
>900 мкАmin.: Vgs=0; Vds=20V
>900 мкАmin.: Vgs=0; Vds=20V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
В отверстия
В отверстия
В отверстия
>30 В
>30 В
>30 В
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
500 мВId = 1nA
500 мВId = 1nA
500 мВId = 1nA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>2 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>2 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>2 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
 
 
 
 
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
В отверстия
>30 В
 
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
1.5 ВId = 1nA
 
 
 
>6 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
P-ch
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Поверхностный
>25 В
 
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
4.5 ВId = 1µA
 
 
 
>500 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
N-ch
<3 Ом
 
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Fairchild Semiconductor
В отверстия
В отверстия
В отверстия
 
 
 
 
 
 
<100 мВт
<100 мВт
<100 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<8.2 пФVds = 0V
<8.2 пФVds = 0V
<8.2 пФVds = 0V
 
 
 
 
 
 
400 мВId = 100nA
400 мВId = 100nA
400 мВId = 100nA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>300 мкАmin.: Vgs=0; Vds=10V
>300 мкАmin.: Vgs=0; Vds=10V
>300 мкАmin.: Vgs=0; Vds=10V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
 
<100 мВт
<100 мВт
 
 
 
 
 
 
<3.5 пФVds = 5V
<3.5 пФVds = 5V
 
 
 
 
600 мВId = 1µA
600 мВId = 1µA
 
 
 
 
 
 
150 мкА ~ 1 мАmin.: Vgs=0; Vds=5V
150 мкА ~ 1 мАmin.: Vgs=0; Vds=5V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
В отверстия
В отверстия
В отверстия
 
 
 
 
 
 
<100 мВт
<100 мВт
<100 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<3.5 пФVds = 5V
<3.5 пФVds = 5V
<3.5 пФVds = 5V
 
 
 
 
 
 
600 мВId = 1µA
600 мВId = 1µA
600 мВId = 1µA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
100 мкА ~ 1 мАmin.: Vgs=0; Vds=5V
100 мкА ~ 1 мАmin.: Vgs=0; Vds=5V
100 мкА ~ 1 мАmin.: Vgs=0; Vds=5V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
TO-92-3 (Short Body)
TO-92-3 (Short Body)
TO-92-3 (Short Body)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Поверхностный
>40 В
 
<350 мВт
 
 
 
<16 пФVds = 20V
 
 
5 ВId = 1nA
 
 
 
>30 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
 
 
N-ch
<30 Ом
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor