Транзисторные оптопары - Elcomps.com
Всего найдено 4981 компонентов
ИзображениеИмяICUCEUCE-satTсрIOUTUswСкоростьIOUT-IТип входаIOUT/CHТип выходаKСерияUFURIFIF-iМонтажIinUoutКорпусКаналовПроизводительRINSUINS
  
 
 
 
 
<300 мВ
<300 мВ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
DC
DC
<50 мА
<50 мА
Transistor
Transistor
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
 
<70 В
<70 В
4-SMD
4-SMD
1
1
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics
 
 
<3.75 кВRMS
<3.75 кВRMS
 
 
 
 
 
 
<200 мВ
<200 мВ
<200 мВ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
DC
DC
DC
<50 мА
<50 мА
<50 мА
Transistor
Transistor
Transistor
>50 %5mA
>50 %5mA
>50 %5mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
<50 мА
<50 мА
<50 мА
<80 В
<80 В
<80 В
4-SMD
4-SMD
4-SMD
1
1
1
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics
 
 
 
<3.75 кВRMS
<3.75 кВRMS
<3.75 кВRMS
 
 
 
 
 
 
<200 мВ
<200 мВ
<200 мВ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
AC, DC
AC, DC
AC, DC
<50 мА
<50 мА
<50 мА
Transistor
Transistor
Transistor
>50 %500µA
>50 %500µA
>50 %500µA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
<80 В
<80 В
<80 В
4-SMD
4-SMD
4-SMD
1
1
1
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics
 
 
 
<3.75 кВRMS
<3.75 кВRMS
<3.75 кВRMS
 
 
 
 
 
 
<1 В
<1 В
<1 В
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
DC
DC
DC
<80 мА
<80 мА
<80 мА
Darlington
Darlington
Darlington
>600 %500µA
>600 %500µA
>600 %500µA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
<35 В
<35 В
<35 В
4-SMD
4-SMD
4-SMD
1
1
1
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics
 
 
 
<3.75 кВRMS
<3.75 кВRMS
<3.75 кВRMS
 
 
 
 
 
 
<200 мВ
<200 мВ
<200 мВ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
DC
DC
DC
<50 мА
<50 мА
<50 мА
Transistor
Transistor
Transistor
>100 %500µA
>100 %500µA
>100 %500µA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
<80 В
<80 В
<80 В
4-SMD
4-SMD
4-SMD
1
1
1
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics
 
 
 
<3.75 кВRMS
<3.75 кВRMS
<3.75 кВRMS
 
 
 
 
 
 
<200 мВ
<200 мВ
<200 мВ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
AC, DC
AC, DC
AC, DC
<50 мА
<50 мА
<50 мА
Transistor
Transistor
Transistor
>20 %1mA
>20 %1mA
>20 %1mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
<80 В
<80 В
<80 В
4-SMD
4-SMD
4-SMD
1
1
1
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics
 
 
 
<2.5 кВRMS
<2.5 кВRMS
<2.5 кВRMS
 
 
 
 
 
 
<200 мВ
<200 мВ
<200 мВ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
AC, DC
AC, DC
AC, DC
<50 мА
<50 мА
<50 мА
Transistor
Transistor
Transistor
>20 %1mA
>20 %1mA
>20 %1mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
<80 В
<80 В
<80 В
4-SMD
4-SMD
4-SMD
1
1
1
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics
 
 
 
<2.5 кВRMS
<2.5 кВRMS
<2.5 кВRMS
 
 
 
 
 
 
<200 мВ
<200 мВ
<200 мВ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
AC, DC
AC, DC
AC, DC
<50 мА
<50 мА
<50 мА
Transistor
Transistor
Transistor
>20 %1mA
>20 %1mA
>20 %1mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
<80 В
<80 В
<80 В
4-SMD
4-SMD
4-SMD
1
1
1
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics
 
 
 
<2.5 кВRMS
<2.5 кВRMS
<2.5 кВRMS
 
 
 
 
<1 В
<1 В
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
DC
DC
<80 мА
<80 мА
Darlington
Darlington
>600 %1mA
>600 %1mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
<50 мА
<50 мА
<35 В
<35 В
4-SMD
4-SMD
1
1
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics
 
 
<2.5 кВRMS
<2.5 кВRMS
 
 
 
 
 
 
<1 В
<1 В
<1 В
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
DC
DC
DC
<80 мА
<80 мА
<80 мА
Darlington
Darlington
Darlington
>600 %500µA
>600 %500µA
>600 %500µA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
 
 
<35 В
<35 В
<35 В
4-SMD
4-SMD
4-SMD
1
1
1
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics
 
 
 
<2.5 кВRMS
<2.5 кВRMS
<2.5 кВRMS