На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SS9012GBU | SS9012GTA | SS9012HBU | SS9012HTA | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <20 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <625 мВт | |||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >112Ic, Vce = 50mA, 1V | >112Ic, Vce = 50mA, 1V | >144Ic, Vce = 50mA, 1V | >144Ic, Vce = 50mA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <600 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||